影響氣體放電著火電壓主要因素
發(fā)布時(shí)間:2016/10/20 22:54:15 訪問(wèn)次數(shù):1200
(1)Pd值:帕邢定律表明,當(dāng)其他AD6655BCPZ-125因素不變時(shí),Pd值的變化對(duì)著火電壓的變化起決定性的作用,因此,PDP中充入氣體的壓強(qiáng)和電極間隙對(duì)PDP的著火電壓有很大影響。
(2)氣體種類和成分的影響氣體種類不同,著火電壓也不同。通常當(dāng)原子的電離能較低時(shí),其著火電壓偏低。另外,研究表明,如在給定的基本氣體中加人少量的雜質(zhì)氣體,如果雜質(zhì)氣體的電離電位小于基本氣體的亞穩(wěn)態(tài)能,則混合氣體的著火電會(huì)小于基本氣體的著火電壓,這就是所謂的潘寧效應(yīng)。
(3)陰極材料和表面狀況陰極材料與表面狀況的變化直接影響到正離子轟擊下的二次電子發(fā)射系數(shù)的大小,從而影響到著火電壓的大小。在其他條件相同的條件下,二次電子發(fā)射系數(shù)系數(shù)越高,著火電壓越低。
(4)電場(chǎng)分布的影響電場(chǎng)分布對(duì)第一電離系數(shù)和第三電離系數(shù)的數(shù)值與分布起決定性作用,因此,它對(duì)著火電壓影響很大。
(5)輔助電離源的影響使用輔助電離源來(lái)加快帶電粒于的形成,也可以使著火電壓降低。
(1)Pd值:帕邢定律表明,當(dāng)其他AD6655BCPZ-125因素不變時(shí),Pd值的變化對(duì)著火電壓的變化起決定性的作用,因此,PDP中充入氣體的壓強(qiáng)和電極間隙對(duì)PDP的著火電壓有很大影響。
(2)氣體種類和成分的影響氣體種類不同,著火電壓也不同。通常當(dāng)原子的電離能較低時(shí),其著火電壓偏低。另外,研究表明,如在給定的基本氣體中加人少量的雜質(zhì)氣體,如果雜質(zhì)氣體的電離電位小于基本氣體的亞穩(wěn)態(tài)能,則混合氣體的著火電會(huì)小于基本氣體的著火電壓,這就是所謂的潘寧效應(yīng)。
(3)陰極材料和表面狀況陰極材料與表面狀況的變化直接影響到正離子轟擊下的二次電子發(fā)射系數(shù)的大小,從而影響到著火電壓的大小。在其他條件相同的條件下,二次電子發(fā)射系數(shù)系數(shù)越高,著火電壓越低。
(4)電場(chǎng)分布的影響電場(chǎng)分布對(duì)第一電離系數(shù)和第三電離系數(shù)的數(shù)值與分布起決定性作用,因此,它對(duì)著火電壓影響很大。
(5)輔助電離源的影響使用輔助電離源來(lái)加快帶電粒于的形成,也可以使著火電壓降低。
上一篇:帕邢定律和著火電壓的確定
熱門點(diǎn)擊
- 電容進(jìn)行反向充電
- 發(fā)電機(jī)的額定功率是指發(fā)電機(jī)在額定轉(zhuǎn)速下輸出的
- CD4511的燈測(cè)試端LT是用來(lái)測(cè)試數(shù)碼管是
- 彩色光的三色原理
- TFT驅(qū)動(dòng)時(shí)序波形
- 電致發(fā)光的分類
- 高分子分散型(PD)LCD
- 單層器件結(jié)構(gòu)
- 影響氣體放電著火電壓主要因素
- 真空關(guān)閉轉(zhuǎn)為吹氣的控制
推薦技術(shù)資料
- 自制經(jīng)典的1875功放
- 平時(shí)我也經(jīng)常逛一些音響DIY論壇,發(fā)現(xiàn)有很多人喜歡LM... [詳細(xì)]
- 高性能CMOS模擬四通道SPDT多路復(fù)用器應(yīng)
- 頂級(jí)汽車壓力傳感器信號(hào)調(diào)理芯片 (SSC)
- 通用電源管理集成電路 (PMI
- 2.4Ω低導(dǎo)通電阻
- Arm Cortex-M0+微控制器產(chǎn)品組合
- 硅絕緣體(SOI)工藝8位數(shù)字
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究