1.Gc、Si、AlGaInP、AlGaInN的禁帶寬度分別為0,7cV、1。  lcV、2.OcV和2.7cV,試計(jì)算它們對于的發(fā)光波長,A085FW01V0并解釋為何不將Gc、si材料作為LED的有源層。

   2.某一DH-LED的有源層為GaAs,室溫下的禁帶寬度約為1.緄cV,試計(jì)算發(fā)光中心波長和光譜半寬。

   3.試計(jì)算LED芯片的遠(yuǎn)場光強(qiáng)空間分布的全發(fā)光角。

   4.試計(jì)算超厚頂層透明襯底GaAs乇ED的出光效率,GaAs的折射率為3.6。

   5.試計(jì)算圖⒋z所示的lW功率LED室溫下的結(jié)溫,設(shè)氏妒為10K/W,R仂s3為13K/W,R`乃切為旬铘,輸出光功率為0,3W。

   6.峰值波長分別為85011m、繡Onm的AlGaAs、InGaN材料制出的LED的峰值波長溫度系數(shù)分別為0.28nWK和0.Ⅱ%lnJK,試計(jì)算結(jié)溫1l0℃時相比室溫的波長偏移量。

   7,采用紅綠藍(lán)(RGB)結(jié)構(gòu)制作白光固態(tài)光源(白光LED),設(shè)三只LED均為理想光源,即:它們的外量子效率均為100%,光譜密度分布均為矩形,相對光強(qiáng)均為1,譜寬均為⒛nm,設(shè)紅光LED的發(fā)射波長為甾0nm,綠光LED的發(fā)射波長為520mn,藍(lán)光LED的發(fā)射波長為弱0nm,試計(jì)算該白光固態(tài)光源的發(fā)光效率。(視覺靈敏度數(shù)值如下:650nm時為0,107,520nm時為0.71,460nm時為0�！�),設(shè)饋給效率乃'g降0.9。