負(fù)載電流LI和負(fù)載電壓
發(fā)布時(shí)間:2016/11/28 21:14:43 訪問(wèn)次數(shù):1215
負(fù)載電流LI和負(fù)載電壓LⅤ的測(cè)量:測(cè)量元器件的電阻時(shí),在該被測(cè)元器件中流過(guò)的電流和ADR431BRZ它兩端存在的端電壓簡(jiǎn)稱(chēng)為負(fù)載電流Ll和負(fù)載電壓Lv。LI、Lv的刻度實(shí)際上是歐姆擋輔助刻度!辎瘛v和R之間的關(guān)系為乙I=LⅤ/R。LI看第六條刻度線,Lv看第七條刻度線。其讀數(shù)與歐姆擋各擋的關(guān)系見(jiàn)表5-1。
例如,用R×100歐姆擋來(lái)測(cè)定某元器件電阻時(shí),如果測(cè)出的阻值為1000Ω,同時(shí)在乙T、Lv刻度上讀出幾I為0.%mA,Lv為0.75Ⅴ。即表示該元器件在兩端電壓為0.75Ⅴ時(shí)其內(nèi)部流過(guò)的電流為0.75mA。
晶體管向FE、△m及極性測(cè)定:萬(wàn)用表轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)到R×1k擋,調(diào)好歐姆零位,把晶體管c、e兩極插人萬(wàn)用表的c、e兩孔內(nèi)(PNP管插在PNP插孔內(nèi),NPN管插在NPN管插孔內(nèi)),這時(shí)測(cè)出的凡I即為∫cLll。如果指針超出LI的刻度線,可把開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)到R×100擋再測(cè),但測(cè)前仍應(yīng)從新調(diào)好歐姆零位,這時(shí)LI的滿(mǎn)度值為1.笱mA。
測(cè)量九FE日寸,應(yīng)把轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)到R×lk擋,調(diào)好歐姆零位,再把轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)到九FE處,把晶體管c、b、e二極插人萬(wàn)用表上的c、b、e插孔內(nèi),這時(shí)在尼FE亥刂度上即可讀出九FE的大小。但應(yīng)注意PNP管看第四條刻度線,NPN管看第五條刻度線(九ΓE及fcm為參考值,九FE僅供小功率管測(cè)定)。
負(fù)載電流LI和負(fù)載電壓LⅤ的測(cè)量:測(cè)量元器件的電阻時(shí),在該被測(cè)元器件中流過(guò)的電流和ADR431BRZ它兩端存在的端電壓簡(jiǎn)稱(chēng)為負(fù)載電流Ll和負(fù)載電壓Lv。LI、Lv的刻度實(shí)際上是歐姆擋輔助刻度!辎、Lv和R之間的關(guān)系為乙I=LⅤ/R。LI看第六條刻度線,Lv看第七條刻度線。其讀數(shù)與歐姆擋各擋的關(guān)系見(jiàn)表5-1。
例如,用R×100歐姆擋來(lái)測(cè)定某元器件電阻時(shí),如果測(cè)出的阻值為1000Ω,同時(shí)在乙T、Lv刻度上讀出幾I為0.%mA,Lv為0.75Ⅴ。即表示該元器件在兩端電壓為0.75Ⅴ時(shí)其內(nèi)部流過(guò)的電流為0.75mA。
晶體管向FE、△m及極性測(cè)定:萬(wàn)用表轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)到R×1k擋,調(diào)好歐姆零位,把晶體管c、e兩極插人萬(wàn)用表的c、e兩孔內(nèi)(PNP管插在PNP插孔內(nèi),NPN管插在NPN管插孔內(nèi)),這時(shí)測(cè)出的凡I即為∫cLll。如果指針超出LI的刻度線,可把開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)到R×100擋再測(cè),但測(cè)前仍應(yīng)從新調(diào)好歐姆零位,這時(shí)LI的滿(mǎn)度值為1.笱mA。
測(cè)量九FE日寸,應(yīng)把轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)到R×lk擋,調(diào)好歐姆零位,再把轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)到九FE處,把晶體管c、b、e二極插人萬(wàn)用表上的c、b、e插孔內(nèi),這時(shí)在尼FE亥刂度上即可讀出九FE的大小。但應(yīng)注意PNP管看第四條刻度線,NPN管看第五條刻度線(九ΓE及fcm為參考值,九FE僅供小功率管測(cè)定)。
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