分析暫態(tài)或者穩(wěn)態(tài)溫度場
發(fā)布時(shí)間:2016/12/25 14:59:50 訪問次數(shù):401
TEMPO。分析暫態(tài)或者穩(wěn)態(tài)溫度場。該溫度場的熱源可以是外部熱源,也可以是由電磁場轉(zhuǎn)化而來。NAND01GR3B2CZA6E電磁場可以通過其他模塊計(jì)算得到,同時(shí)溫度場的計(jì)算結(jié)果還可以反饋到材料物性,從而反過來影響電磁場,實(shí)現(xiàn)溫度場與電磁場的相互耦合。
此外,還包括獨(dú)立運(yùn)行的STRESS模塊,用于分析電磁力或溫差產(chǎn)生的應(yīng)力及應(yīng)變。Optimizer模塊用于將模型參數(shù)化并對(duì)模型的多種方案解算和擇優(yōu)。
Opcra3D善于對(duì)各模塊之間進(jìn)行耦合協(xié)同分析,使不同模塊同時(shí)在進(jìn)程中解算,并通過各模塊問的分析結(jié)果共享數(shù)據(jù),從而實(shí)現(xiàn)耦合仿真。如:
(1)CARMEN
・瞬態(tài)電磁場分析可以與應(yīng)力分析進(jìn)行耦合;
・電磁場結(jié)果提供力學(xué)分析的應(yīng)力數(shù)據(jù);
・力學(xué)分析提供電磁分析所需位置和運(yùn)動(dòng)姿態(tài)數(shù)據(jù)。
(2)有耗介質(zhì)
在SCALA和TOSCA中進(jìn)行設(shè)置,用于計(jì)算低電導(dǎo)率材料的電場。
(3)外部電路
所有瞬態(tài)電磁分析程序(CARMEN、DMAG、EI'EKTRA/(SS and TR)、QUENCH)可以對(duì)外部電路進(jìn)行建模,包括電壓源、電流源、電阻、電容、二極管、開關(guān)等。
TEMPO。分析暫態(tài)或者穩(wěn)態(tài)溫度場。該溫度場的熱源可以是外部熱源,也可以是由電磁場轉(zhuǎn)化而來。NAND01GR3B2CZA6E電磁場可以通過其他模塊計(jì)算得到,同時(shí)溫度場的計(jì)算結(jié)果還可以反饋到材料物性,從而反過來影響電磁場,實(shí)現(xiàn)溫度場與電磁場的相互耦合。
此外,還包括獨(dú)立運(yùn)行的STRESS模塊,用于分析電磁力或溫差產(chǎn)生的應(yīng)力及應(yīng)變。Optimizer模塊用于將模型參數(shù)化并對(duì)模型的多種方案解算和擇優(yōu)。
Opcra3D善于對(duì)各模塊之間進(jìn)行耦合協(xié)同分析,使不同模塊同時(shí)在進(jìn)程中解算,并通過各模塊問的分析結(jié)果共享數(shù)據(jù),從而實(shí)現(xiàn)耦合仿真。如:
(1)CARMEN
・瞬態(tài)電磁場分析可以與應(yīng)力分析進(jìn)行耦合;
・電磁場結(jié)果提供力學(xué)分析的應(yīng)力數(shù)據(jù);
・力學(xué)分析提供電磁分析所需位置和運(yùn)動(dòng)姿態(tài)數(shù)據(jù)。
(2)有耗介質(zhì)
在SCALA和TOSCA中進(jìn)行設(shè)置,用于計(jì)算低電導(dǎo)率材料的電場。
(3)外部電路
所有瞬態(tài)電磁分析程序(CARMEN、DMAG、EI'EKTRA/(SS and TR)、QUENCH)可以對(duì)外部電路進(jìn)行建模,包括電壓源、電流源、電阻、電容、二極管、開關(guān)等。
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