電流密度場是通過上述有限元建模求解的
發(fā)布時間:2016/12/31 19:30:28 訪問次數(shù):757
電流密度場是通過上述有限元建模求解的,可以直接在Post Processor中讀出,FSDH321而磁場D是在Post Proccssor中通過畢奧-薩伐爾定律對電流密度進行體積分求得的,為此應(yīng)先設(shè)定兩種場的計算方法。單擊菜單欄命令Options→Field Ca1culation Mcthod,在彈出的對話框中選擇integra0on with n°dal,即電流密度丿通過直接讀取有限元的節(jié)點進行插值求得,而D用積分法求得。單擊OK按鈕,返回主窗口。設(shè)定完計算方法后,可以計算并顯示幾何模型表面的場值及場矢量分布云圖。單擊工具欄的3D Display按鈕匿|,彈出如圖4,2.49所示的場值顯示設(shè)置對話框。
選擇第一行的場值云圖Componcnt∞ntours選項,即模型表面的顏色按場值顯示。Reld∞mpone11t下拉列表選擇需要得到的場值,這里我們比較關(guān)心z方向的洛倫茲力大小,而z向的洛倫茲力表達式,將其填人,不區(qū)分大小寫,都是Opem3D的默認場量,無須定義直接輸人。Component hmits選項區(qū)定義顯示的場值的范圍,如果有些區(qū)域的場值超過該范圍,那么該區(qū)域?qū)@示其所靠近的范圍邊界對應(yīng)的顏色,默認顯示范圍為所求場值的最大值和最小值之間。
電流密度場是通過上述有限元建模求解的,可以直接在Post Processor中讀出,FSDH321而磁場D是在Post Proccssor中通過畢奧-薩伐爾定律對電流密度進行體積分求得的,為此應(yīng)先設(shè)定兩種場的計算方法。單擊菜單欄命令Options→Field Ca1culation Mcthod,在彈出的對話框中選擇integra0on with n°dal,即電流密度丿通過直接讀取有限元的節(jié)點進行插值求得,而D用積分法求得。單擊OK按鈕,返回主窗口。設(shè)定完計算方法后,可以計算并顯示幾何模型表面的場值及場矢量分布云圖。單擊工具欄的3D Display按鈕匿|,彈出如圖4,2.49所示的場值顯示設(shè)置對話框。
選擇第一行的場值云圖Componcnt∞ntours選項,即模型表面的顏色按場值顯示。Reld∞mpone11t下拉列表選擇需要得到的場值,這里我們比較關(guān)心z方向的洛倫茲力大小,而z向的洛倫茲力表達式,將其填人,不區(qū)分大小寫,都是Opem3D的默認場量,無須定義直接輸人。Component hmits選項區(qū)定義顯示的場值的范圍,如果有些區(qū)域的場值超過該范圍,那么該區(qū)域?qū)@示其所靠近的范圍邊界對應(yīng)的顏色,默認顯示范圍為所求場值的最大值和最小值之間。
上一篇:線上場值圖表
上一篇:洛倫茲力密度3D場值分布
熱門點擊
- 了解芯片的使用方法
- 檢測逆變觸發(fā)引前角設(shè)置是否正確
- 注意事項
- 模型對稱性設(shè)置對話框
- 掌握電壓比較器的電路構(gòu)成及特點
- 時鐘發(fā)生器
- 單位增益帶寬積
- 數(shù)據(jù)選擇器叉叫“多路開關(guān)”
- 壓控振蕩器測量數(shù)據(jù)記錄表
- 設(shè)定邊界條件
推薦技術(shù)資料
- 單片機版光立方的制作
- N視頻: http://v.youku.comN_sh... [詳細]
- 觸摸屏控制器ADS7845數(shù)字接口和應(yīng)用說明
- 16-40MHz 10位總線LVDS隨機鎖解
- SDG800系列信號源的EasyPulse技
- 三相T/6正弦波形發(fā)生器電路圖應(yīng)用詳解
- 高性能示波器RIGOL CAN-FD總線分析
- DG5000 Pro系列函數(shù)/任意波形發(fā)生器
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究