紙介電容器
發(fā)布時間:2017/1/20 20:25:53 訪問次數(shù):822
(1)以紙為介質(zhì)的電容器
常見的紙介電容器封裝形式包括玻璃外殼、瓷管外殼和金屬外殼等幾種;紙介電V40100P容器的電容量為幾十至幾百皮法,耐壓值有250V、400V和630V等幾種,容量誤差有±5%、±10%禾口±20%。
具體選用方法:紙介電容器的外殼上存在標(biāo)有黑圈標(biāo)志的一端,這一端是電容器外層電極的引線,使用時應(yīng)盡量將這一段接人“地”,以使內(nèi)層電極被外層電極保護起到屏蔽作用、不易造成對地擊穿。紙介電容器的型號標(biāo)志是CZ,這類電容器的優(yōu)點是生產(chǎn)T藝簡單、成本低、電壓范圍較寬;其不足之處在于電容量不易控制、損耗較大、穩(wěn)定性較差、電感最大,通常不適宜在高頻條件下使用。
(2)金屬化紙介電容器
這類電容器的體積和重量均比同容量的普通紙介電容器小得多。金屬化紙介電容器可以被制成高電壓和大容量的電容器,其耐壓范圍是幾十至一千伏,電容量從零點幾至幾十微法;金屬化紙介電容器的型號標(biāo)志為q。
金屬化紙介電容器的最大特點是具有“自愈”作用;即當(dāng)電介質(zhì)被擊穿時,擊穿處產(chǎn)生的電弧電流會使金屬膜熔化蒸發(fā),使短路點消滅,可自動恢復(fù)正常;當(dāng)然,這種“自愈”作用并非是無限的。
(1)以紙為介質(zhì)的電容器
常見的紙介電容器封裝形式包括玻璃外殼、瓷管外殼和金屬外殼等幾種;紙介電V40100P容器的電容量為幾十至幾百皮法,耐壓值有250V、400V和630V等幾種,容量誤差有±5%、±10%禾口±20%。
具體選用方法:紙介電容器的外殼上存在標(biāo)有黑圈標(biāo)志的一端,這一端是電容器外層電極的引線,使用時應(yīng)盡量將這一段接人“地”,以使內(nèi)層電極被外層電極保護起到屏蔽作用、不易造成對地擊穿。紙介電容器的型號標(biāo)志是CZ,這類電容器的優(yōu)點是生產(chǎn)T藝簡單、成本低、電壓范圍較寬;其不足之處在于電容量不易控制、損耗較大、穩(wěn)定性較差、電感最大,通常不適宜在高頻條件下使用。
(2)金屬化紙介電容器
這類電容器的體積和重量均比同容量的普通紙介電容器小得多。金屬化紙介電容器可以被制成高電壓和大容量的電容器,其耐壓范圍是幾十至一千伏,電容量從零點幾至幾十微法;金屬化紙介電容器的型號標(biāo)志為q。
金屬化紙介電容器的最大特點是具有“自愈”作用;即當(dāng)電介質(zhì)被擊穿時,擊穿處產(chǎn)生的電弧電流會使金屬膜熔化蒸發(fā),使短路點消滅,可自動恢復(fù)正常;當(dāng)然,這種“自愈”作用并非是無限的。
熱門點擊
- 用示波器測量“校準信號”
- 輸出ASK調(diào)制波形
- 電流源邊界條件
- 基本RS觸發(fā)器的測試
- 模擬電路仿真步驟
- MOS管VT3是預(yù)充電開關(guān)
- 輸出方波波形
- 激光束的漂移
- 電阻器的主要技術(shù)指標(biāo)
- SDs1000A面板和用戶界面簡介
推薦技術(shù)資料
- 硬盤式MP3播放器終級改
- 一次偶然的機會我結(jié)識了NE0 2511,那是一個遠方的... [詳細]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究