MOsFET和IGBT等全控型功率半導體器件的容量已日益擴大,與⒑BT及MOS-FET配套的驅(qū)動器和保護電路已系列化和標準化,給中頻和超音頻中頻電源的設(shè)計、 IDT821034DN制造奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。以IGBT和MOSFET為主功率器件的中頻電源,其單機容量在⒛0kW以內(nèi),置作頻率范圍基本上都為⒛~⒛0kHz,超過⒛kHz的中頻電源基本上都是采用M0⒊FET。但目前MOSFET的額定參數(shù)限制了中頻電源功率的提升,雖然可采用直接將MOsFET并聯(lián),或?qū)OSFET構(gòu)成逆變橋,再多個逆變橋并聯(lián)的方案,但卻使主電路和控制電路復(fù)雜,可靠性下降。為此采用ICBT和MOSFET為主功率器件的中頻電源,仍是需要進一步研發(fā)的課題。

   國內(nèi)單機容量在500kW以上的中頻電源的功率器件基本上是晶閘管電源,但I作 頻率最高不超過8kHz,容量最大已達硐00kW。單機容量達ω00kW的晶閘管中頻電源正在開發(fā)中。從電路的角度來考慮中頻電源的大容量化,可將大容量化技術(shù)分為兩大類:一類是器件的串、并聯(lián);另一類是多橋或多臺電源的串、并聯(lián)。在器件的串、并聯(lián)方式中,必須認真處理串聯(lián)器件的均壓問題和并聯(lián)器件的均流問題,由于器件制造工藝和參數(shù)的離散性,限制了器件的串、并聯(lián)數(shù)目,且串、并聯(lián)數(shù)越多,裝置的可靠性越差。多臺電源的串、并聯(lián)技術(shù)是在器件串、并聯(lián)技術(shù)基礎(chǔ)上進一步再容量化的有效手段借助于可靠的電源串、并聯(lián)技術(shù),在單機容量適當?shù)那闆r下,可簡單地通過串、并聯(lián)運行方式得到大容量裝置,每臺單機只是裝置的一個單元(或一個模塊)。