于氧氧化的缺點(diǎn)是氫氣的易爆炸性。在達(dá)到氧化溫度時(shí)，氫氣非常容易爆炸。可以用IPW50R199CP一些保護(hù)措施來減少潛在的爆炸可能性。例如把進(jìn)入爐管的氧氣和氫氣管分開，并流入過量的氧氣。過量的氧氣可以保證每個(gè)氫分子(H：)和氧原子形成不爆炸的水分子(H：O)。其他的防護(hù)措施還有氫氣報(bào)警，以及在氣體柜和清除機(jī)之間安裝熱燈絲，它可以在爆炸發(fā)生前就燃燒掉跑出的多余氫氣。

   摻氯氧化：更薄的MOS柵極氧化要求非常潔凈的膜層。當(dāng)在氧中加入氯時(shí)，器件的性能和潔凈度就會(huì)得到改善。，氯可以減少氧化層里的移動(dòng)離子電荷，減少硅表面及氧化層的結(jié)構(gòu)缺陷，減少氧化膜和硅界面的電荷。氯來自干氧氣流中氯氣( Cl：)、氯化氫(HCl)、三氯乙烯( TCE)或氯仿(TCA)。對(duì)于氣態(tài)源，氯、氯化氫以及氧氣由不同氣體流量計(jì)控制進(jìn)入爐管。對(duì)于液態(tài)源，像三氯乙烯( TCE)或氯仿(TCA)，從液態(tài)發(fā)泡器中以氣態(tài)形式進(jìn)入爐管。從安全和方便的角度來講，氯仿( TCA)是比較好的氯源。摻氯氧化循環(huán)可以在一步反應(yīng)里完成，也可以在于氧前或干氧后進(jìn)行。

   氧化后，通常借助于紫外(UV)燈進(jìn)行一個(gè)快速的表面檢查。這些高強(qiáng)度的光源可以使操作者看見肉眼看不到的小穎粒和瑕疵。有時(shí)還要進(jìn)行顯微鏡的表面檢查。

   自動(dòng)晶圓裝載：一旦晶圓進(jìn)化到200 mm直徑以后，裝卸晶圓對(duì)于水平式爐管操作員變成了一個(gè)挑戰(zhàn)。一批水平式石英晶圓承載架很重，甚至對(duì)于機(jī)器手裝載進(jìn)水平式爐管也是笨拙和低效率。裝卸單個(gè)晶圓進(jìn)出垂直式疊放爐就容易多了。拿取一放置式機(jī)械，有時(shí)也稱機(jī)械手( robot)從晶圓片架(cassette)取出一片晶圓，然后把它放入一個(gè)爐用石英舟里。對(duì)于晶圓裝舟系統(tǒng)，難點(diǎn)在于把測試片、生產(chǎn)片和“假片”正轉(zhuǎn)移管確地放到石英舟里（假片通常是放在頂部和底部）。這些晶圓必須從不同的石英舟中取出。

   手動(dòng)裝載晶圓：晶圓被放在聚四氟乙烯( Teflon)或其派生物制成的承載器[也稱“舟”(bc，at)或“片架”(c：assette)]中進(jìn)行清洗步驟，然后被轉(zhuǎn)移到石英或碳化硅的承載器中進(jìn)行反應(yīng)爐反應(yīng)。

   對(duì)于這些傳遞較小晶圓的操作是用真空吸筆或有限度加緊的鑷子（見圖7. 29）。盡管通常避免使用鑷子，還是有為大直徑晶圓設(shè)計(jì)的鑷子。