一個加熱的操作可以使晶圓表面恢復(fù)到厭水性條件。針對3種不同的脫水機制脫水烘焙有3種溫度范圍。在150℃~2000C的溫度范圍內(nèi)（低溫），AD816AVR晶圓表面會被蒸發(fā)。到了400℃（中溫）時，與晶圓表面結(jié)合比較松的水分子會離開。當(dāng)溫度超過7500C（高溫）時，晶圓表面從化學(xué)性質(zhì)七講恢復(fù)到了厭水性條件。

   在大多數(shù)光刻工藝中，只用低溫烘焙。因為低溫的溫度范圍可以通過熱板、箱式對流傳導(dǎo)或真空烤箱很容易達(dá)到。低溫烘焙的另一個好處就是在進(jìn)行旋轉(zhuǎn)r藝之前不用花費很長的時間等待晶圓冷卻，系統(tǒng)可以很容易地把這一步和旋轉(zhuǎn)烘焙結(jié)合起來，進(jìn)而形成脫水一旋轉(zhuǎn)一烘焙系統(tǒng)。這些加熱系統(tǒng)的解釋在8. 10節(jié)中講述。

   高溫烘焙很少用到。一個原因是750。C高溫通常只能通過爐管反應(yīng)爐才能達(dá)到，而爐管反應(yīng)爐都比較大，而且不能和旋轉(zhuǎn)烘焙工藝結(jié)合。第二個原因就是濕度本身。在750℃高溫F，晶圓內(nèi)摻雜結(jié)合處能夠移動（那不是所希望的），并且晶圓表面的可移動離子污染物可以移入晶圓內(nèi)部，從而造成器件可靠性和功能方面的問題。

   除了脫水烘焙外，晶圓還可以通過涂化學(xué)底膠來保證它能和光刻膠黏結(jié)得很好。涂膠時，所選擇的底膠有很好的吸附表面并且能夠為正式涂膠提供一個平滑的表面。在半導(dǎo)體光刻工藝中，底膠的作用和這一點比較相似。底膠從化學(xué)上把晶圓表面的水分子系在一起，因此增加廠表面的附著能力“。