CMOS集成電路通常具有如下參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2017/2/18 20:53:54 訪問(wèn)次數(shù):1231
CMOS集成電路通常具有如下參數(shù)。
①靜態(tài)功耗低 電源電壓TJDD為5V時(shí),中規(guī)模M50FW040N15BSOX集成電路的靜態(tài)功耗小于1O0uw.
②輸人阻抗非常高 正常工作的CM(E集成電路的輸人保護(hù)二極管處于反偏狀態(tài),其直流輸入阻抗大于100MΩ。
③電源電壓范圍寬 CMOS集成電路的標(biāo)準(zhǔn)型+Orlll〃450lB系列產(chǎn)品的電源電壓為3~18V。
④扇出能力強(qiáng) 低頻工作時(shí),一個(gè)輸出端可驅(qū)動(dòng)CMOS器件50個(gè)以上的輸入端。
⑤抗干擾能力強(qiáng) CMOS集成電路的電壓噪聲容限可達(dá)電源電壓的45%,且高電平和低電平的噪聲容限值基本相同。
⑥邏輯擺幅大 CMOS集成電路空載時(shí),輸出高電平LT"≥L,TDD―0・05V,輸出低電平LIα'≤0.05V。
ECL型集成電路
這類集成電路以雙極型晶體管為開(kāi)關(guān)元件,但不同于TTI'集成電路,ECL電路的晶體管工作于非飽和開(kāi)關(guān)狀態(tài)(而非飽和開(kāi)關(guān)狀態(tài)),采用發(fā)射極耦合方式,因此被稱為發(fā)射極耦合邏輯(emitter_∞ttpled-logic,ECI')G Et^I'型集成電路的晶體管因?yàn)槭枪ぷ饔诜?/span>飽和區(qū),故其開(kāi)關(guān)速度非?,但相應(yīng)的功耗也非常大。常見(jiàn)的ECI'型集成電路包括如下兩個(gè)系列。
①ECI'10K系列(10000系列) 它由美國(guó)摩托羅拉公司首先推出,是ECI'的主要系列;該系列集成電路比74S一TTI'系列的速度更寬、但功耗也更大,故多在高速計(jì)算機(jī)中被選用。
②ECL100K系列(100O00系列) 它由美國(guó)FSC公司首先推出;其工作速度比ECI'10K系列提高了1個(gè)數(shù)量級(jí);但該系列的品種較少.應(yīng)用不多.
CMOS集成電路通常具有如下參數(shù)。
①靜態(tài)功耗低 電源電壓TJDD為5V時(shí),中規(guī)模M50FW040N15BSOX集成電路的靜態(tài)功耗小于1O0uw.
②輸人阻抗非常高 正常工作的CM(E集成電路的輸人保護(hù)二極管處于反偏狀態(tài),其直流輸入阻抗大于100MΩ。
③電源電壓范圍寬 CMOS集成電路的標(biāo)準(zhǔn)型+Orlll〃450lB系列產(chǎn)品的電源電壓為3~18V。
④扇出能力強(qiáng) 低頻工作時(shí),一個(gè)輸出端可驅(qū)動(dòng)CMOS器件50個(gè)以上的輸入端。
⑤抗干擾能力強(qiáng) CMOS集成電路的電壓噪聲容限可達(dá)電源電壓的45%,且高電平和低電平的噪聲容限值基本相同。
⑥邏輯擺幅大 CMOS集成電路空載時(shí),輸出高電平LT"≥L,TDD―0・05V,輸出低電平LIα'≤0.05V。
ECL型集成電路
這類集成電路以雙極型晶體管為開(kāi)關(guān)元件,但不同于TTI'集成電路,ECL電路的晶體管工作于非飽和開(kāi)關(guān)狀態(tài)(而非飽和開(kāi)關(guān)狀態(tài)),采用發(fā)射極耦合方式,因此被稱為發(fā)射極耦合邏輯(emitter_∞ttpled-logic,ECI')G Et^I'型集成電路的晶體管因?yàn)槭枪ぷ饔诜?/span>飽和區(qū),故其開(kāi)關(guān)速度非?,但相應(yīng)的功耗也非常大。常見(jiàn)的ECI'型集成電路包括如下兩個(gè)系列。
①ECI'10K系列(10000系列) 它由美國(guó)摩托羅拉公司首先推出,是ECI'的主要系列;該系列集成電路比74S一TTI'系列的速度更寬、但功耗也更大,故多在高速計(jì)算機(jī)中被選用。
②ECL100K系列(100O00系列) 它由美國(guó)FSC公司首先推出;其工作速度比ECI'10K系列提高了1個(gè)數(shù)量級(jí);但該系列的品種較少.應(yīng)用不多.
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