接地點(diǎn)的選擇
發(fā)布時(shí)間:2017/3/11 21:21:11 訪問(wèn)次數(shù):1080
為了保證電路正常工作,DRV632PWR同時(shí)又盡量減少接地干擾,必須恰當(dāng)?shù)剡x擇接地點(diǎn)的個(gè)數(shù)及接地點(diǎn)的位置。
1.放大器與信號(hào)源間接地點(diǎn)的選擇
宜單點(diǎn)接地,并選擇放大器的共同參考點(diǎn)作為接地點(diǎn),而將信號(hào)源與地隔離,這樣做可以抑制噪聲干擾。
2.多級(jí)電路接地點(diǎn)的選擇
一般地說(shuō),電子設(shè)各中的低電平級(jí)電路易受干擾電路,因此接地點(diǎn)選擇在低電平級(jí)電路的輸人端。
3.高增益放大器屏蔽體接地點(diǎn)的選擇
高增益放大器常以金屬外殼作屏蔽,以防外來(lái)電場(chǎng)的干擾。屏蔽與接地須共同作用才能使干擾降至最低。為這個(gè)目的及電路穩(wěn)定性,屏蔽體必須接人放大器的共同參考點(diǎn)上。
4.機(jī)殼內(nèi)部低頻電纜屏蔽體接地點(diǎn)的選擇
機(jī)殼內(nèi)低頻電路使用的電纜外包的屏蔽層也要單點(diǎn)接地。唯一可行的辦法是將未接地屏蔽層直接接于放大器的共同參考點(diǎn)上。
5.機(jī)殼外同軸電纜與屏蔽絞線的屏蔽層接地點(diǎn)的選擇
對(duì)低頻模擬信號(hào)的傳輸,同軸電纜與屏蔽絞線的屏蔽層宜選擇單端接地。若兩端都接地,則因兩端地電位不可能相同使干擾的抑制效果較差。若技術(shù)上要求兩端都接地,則應(yīng)采取措施使地線環(huán)路電流流經(jīng)低阻抗的屏蔽層,而不經(jīng)由同軸電纜的中心導(dǎo)體或信號(hào)絞線。若要得到更好的抗干擾能力,則可使用隔離變壓器、光電耦合裝置等以達(dá)到要求。
為了保證電路正常工作,DRV632PWR同時(shí)又盡量減少接地干擾,必須恰當(dāng)?shù)剡x擇接地點(diǎn)的個(gè)數(shù)及接地點(diǎn)的位置。
1.放大器與信號(hào)源間接地點(diǎn)的選擇
宜單點(diǎn)接地,并選擇放大器的共同參考點(diǎn)作為接地點(diǎn),而將信號(hào)源與地隔離,這樣做可以抑制噪聲干擾。
2.多級(jí)電路接地點(diǎn)的選擇
一般地說(shuō),電子設(shè)各中的低電平級(jí)電路易受干擾電路,因此接地點(diǎn)選擇在低電平級(jí)電路的輸人端。
3.高增益放大器屏蔽體接地點(diǎn)的選擇
高增益放大器常以金屬外殼作屏蔽,以防外來(lái)電場(chǎng)的干擾。屏蔽與接地須共同作用才能使干擾降至最低。為這個(gè)目的及電路穩(wěn)定性,屏蔽體必須接人放大器的共同參考點(diǎn)上。
4.機(jī)殼內(nèi)部低頻電纜屏蔽體接地點(diǎn)的選擇
機(jī)殼內(nèi)低頻電路使用的電纜外包的屏蔽層也要單點(diǎn)接地。唯一可行的辦法是將未接地屏蔽層直接接于放大器的共同參考點(diǎn)上。
5.機(jī)殼外同軸電纜與屏蔽絞線的屏蔽層接地點(diǎn)的選擇
對(duì)低頻模擬信號(hào)的傳輸,同軸電纜與屏蔽絞線的屏蔽層宜選擇單端接地。若兩端都接地,則因兩端地電位不可能相同使干擾的抑制效果較差。若技術(shù)上要求兩端都接地,則應(yīng)采取措施使地線環(huán)路電流流經(jīng)低阻抗的屏蔽層,而不經(jīng)由同軸電纜的中心導(dǎo)體或信號(hào)絞線。若要得到更好的抗干擾能力,則可使用隔離變壓器、光電耦合裝置等以達(dá)到要求。
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