注意,上述近場和遠(yuǎn)場的條件(即λ的大小)是與頻率/有關(guān)的。所以又可以說,在較低的頻率范圍內(nèi),干擾一般發(fā)生在近場。高阻抗電場源的近場主要為電場分量, AT45DB641E-MWHN-Y雨低阻抗磁場源的近場主要為磁場分量。當(dāng)頻率增高時(shí),干擾趨于遠(yuǎn)場,此時(shí)電場和磁場分量均不可忽略。對應(yīng)于三種情況的屏蔽分別稱為電場屏蔽、磁場屏蔽和電磁場屏蔽。靜電屏蔽和恒定磁場的屏蔽分別是電場屏蔽和磁場屏蔽的特例。

   屏蔽的有效性采用屏蔽效能(簡稱屏效)來進(jìn)行度量,定義為屏蔽前后空間某點(diǎn)的場強(qiáng)之比。對于電路而言,屏效可用屏蔽前后電路某點(diǎn)上的功率、電流和電壓之比來定義,也可以利用由外界耦合到某個(gè)關(guān)鍵元器件上的干擾與器件所產(chǎn)生的噪聲之比來定義。屏效可用分貝(dB)或奈比(N叩)來計(jì)量,dB與Nep之間.

   EMC設(shè)計(jì)的定量化比定性化具有更多優(yōu)點(diǎn),是EMC設(shè)計(jì)的質(zhì)變階段。它通過在各個(gè)頻段內(nèi)對各種干擾源、干擾路徑及敏感設(shè)備建立一個(gè)數(shù)學(xué)、物理模型;對各種典型元器件及組件進(jìn)行大量試驗(yàn),建立必要的數(shù)據(jù)庫,在設(shè)計(jì)的初始階段就將EMC作為控制指標(biāo),通過對電路、元器件、結(jié)構(gòu)及工藝等因素的定量控制,來達(dá)到提高設(shè)備的EMC`l±能的目的。屏蔽是抑制輻射干擾最有效的手段,屏蔽的定量設(shè)計(jì)也是EMC定量設(shè)計(jì)的一項(xiàng)重要內(nèi)容。屏蔽的定量設(shè)計(jì)必須解決兩個(gè)問題:所需屏效的確定和屏蔽性能預(yù)測。