測試單個設(shè)備或系統(tǒng)的抗靜電干擾能力
發(fā)布時間:2017/3/23 21:21:16 訪問次數(shù):446
1.試驗對象
該標(biāo)準(zhǔn)所涉及的是處于靜電放電環(huán)境中和安裝條件下的裝置、系統(tǒng)、 BCM56304B1KEBG子系統(tǒng)和外設(shè)。
2.試驗內(nèi)容
ESD的起因有多種,但該標(biāo)準(zhǔn)主要描述在低濕度情況下通過摩擦等因素使操作者積累了靜電,電子和電氣設(shè)備遭受直接來自操作者的ESD和對臨近物體的EsD的抗擾度要求和試驗方法。對電子產(chǎn)品而言,因操作者的ESD造成設(shè)備受干擾或損壞的概率相對其他ESD起因大得多,若電子產(chǎn)品能提高針對因操作者的ESD抗擾性,則針對因其他因素的ESD抗擾性也會有相應(yīng)地提高。
3.試驗?zāi)康?/span>
測試單個設(shè)備或系統(tǒng)的抗靜電干擾能力。它模擬操作人員或物體在接觸設(shè)備時的放電,以及人或物體對鄰近物體的放電。
4.EsD的模擬
如圖16-1和圖16-2分別給出了ESD發(fā)生器的基本電路和放電電流的波形。如圖16-1所示高壓真空繼電器是目前唯一的能夠產(chǎn)生重復(fù)與高速放電波形的器件(放電開關(guān))。如圖16-2所示標(biāo)準(zhǔn)放電電流波形,Jm表示電流峰值,上升時間莎r=(0.7~1)Ⅱ。如圖16J所示靜電放電電路中的儲能電容Cs代表人體電容值,現(xiàn)公認(rèn)150pF比較合適。放電電阻Rd的阻值為330Ω,代表手握鑰匙或其他金屬工具的人體電阻,F(xiàn)已證明,用這種放電狀態(tài)來體現(xiàn)人體放電的模型是足夠的。
1.試驗對象
該標(biāo)準(zhǔn)所涉及的是處于靜電放電環(huán)境中和安裝條件下的裝置、系統(tǒng)、 BCM56304B1KEBG子系統(tǒng)和外設(shè)。
2.試驗內(nèi)容
ESD的起因有多種,但該標(biāo)準(zhǔn)主要描述在低濕度情況下通過摩擦等因素使操作者積累了靜電,電子和電氣設(shè)備遭受直接來自操作者的ESD和對臨近物體的EsD的抗擾度要求和試驗方法。對電子產(chǎn)品而言,因操作者的ESD造成設(shè)備受干擾或損壞的概率相對其他ESD起因大得多,若電子產(chǎn)品能提高針對因操作者的ESD抗擾性,則針對因其他因素的ESD抗擾性也會有相應(yīng)地提高。
3.試驗?zāi)康?/span>
測試單個設(shè)備或系統(tǒng)的抗靜電干擾能力。它模擬操作人員或物體在接觸設(shè)備時的放電,以及人或物體對鄰近物體的放電。
4.EsD的模擬
如圖16-1和圖16-2分別給出了ESD發(fā)生器的基本電路和放電電流的波形。如圖16-1所示高壓真空繼電器是目前唯一的能夠產(chǎn)生重復(fù)與高速放電波形的器件(放電開關(guān))。如圖16-2所示標(biāo)準(zhǔn)放電電流波形,Jm表示電流峰值,上升時間莎r=(0.7~1)Ⅱ。如圖16J所示靜電放電電路中的儲能電容Cs代表人體電容值,現(xiàn)公認(rèn)150pF比較合適。放電電阻Rd的阻值為330Ω,代表手握鑰匙或其他金屬工具的人體電阻,F(xiàn)已證明,用這種放電狀態(tài)來體現(xiàn)人體放電的模型是足夠的。
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