橫向PNP晶體管的發(fā)射區(qū)和收集區(qū)
發(fā)布時(shí)間:2017/4/29 12:46:46 訪問(wèn)次數(shù):1021
形成Nl,N型晶體管的基區(qū),橫向PNP晶體管的發(fā)射區(qū)和收集區(qū),以及電阻雙極-MOS( bi-MOS):ADC10738CIWMX+包含雙極和MOS兩種晶體管的電路,,二進(jìn)制符號(hào)( binary notation):用2的冪表示所有數(shù)字的一種方法(只有0和1),雙極型晶體管( bipolar transistor): .種由…個(gè)發(fā)射極、基極和集電極組成的晶體管.其行為 通過(guò)由集電區(qū)灃射到基區(qū)的少數(shù)載流子決定、、有時(shí)也稱NPN或PNP型晶體管來(lái)強(qiáng)調(diào)其分層的結(jié)構(gòu)舟(boat):(1)由石英或金屬連接而成承載晶圓的裝置,用于高溫工藝過(guò)程;(2)用Teflon或塑料制成的晶圓承載器,用于濕法清洗過(guò)程,推舟器( boat puller):一種將載有晶圓的舟以固定速度推進(jìn)或拉出爐子的機(jī)械裝置BOE:參見(jiàn)緩沖氧化刻蝕。
壓焊點(diǎn)( bonding pad):芯片上的電極(通常在周邊),用來(lái)與封裝體的電系統(tǒng)連接。硼(B):P型摻雜物在標(biāo)準(zhǔn)雙極型集成電路工藝中用來(lái)做隔離區(qū)和基區(qū)擴(kuò)散?三氯化硼( BCI3):氣體,經(jīng)常用未向硅中摻硼。起泡器( bubbler):一種裝置,使其內(nèi)部輸運(yùn)氣體的“冒泡”通過(guò)某種熱液體,將部分液體攜帶走 例如,某種輸運(yùn)氣體(氮?dú)饣蜓鯕猓┟芭萃ㄟ^(guò)98℃~ 99℃的去離子水,到達(dá)氧化管,緩沖氧化物刻蝕( buffered oxide etch):-種氟化氫(HF)和氟化氨(NH。F)的混合物,用來(lái)使氧化物的刻蝕以緩慢、受控的速度進(jìn)行。
形成Nl,N型晶體管的基區(qū),橫向PNP晶體管的發(fā)射區(qū)和收集區(qū),以及電阻雙極-MOS( bi-MOS):ADC10738CIWMX+包含雙極和MOS兩種晶體管的電路,,二進(jìn)制符號(hào)( binary notation):用2的冪表示所有數(shù)字的一種方法(只有0和1),雙極型晶體管( bipolar transistor): .種由…個(gè)發(fā)射極、基極和集電極組成的晶體管.其行為 通過(guò)由集電區(qū)灃射到基區(qū)的少數(shù)載流子決定、、有時(shí)也稱NPN或PNP型晶體管來(lái)強(qiáng)調(diào)其分層的結(jié)構(gòu)舟(boat):(1)由石英或金屬連接而成承載晶圓的裝置,用于高溫工藝過(guò)程;(2)用Teflon或塑料制成的晶圓承載器,用于濕法清洗過(guò)程,推舟器( boat puller):一種將載有晶圓的舟以固定速度推進(jìn)或拉出爐子的機(jī)械裝置BOE:參見(jiàn)緩沖氧化刻蝕。
壓焊點(diǎn)( bonding pad):芯片上的電極(通常在周邊),用來(lái)與封裝體的電系統(tǒng)連接。硼(B):P型摻雜物在標(biāo)準(zhǔn)雙極型集成電路工藝中用來(lái)做隔離區(qū)和基區(qū)擴(kuò)散?三氯化硼( BCI3):氣體,經(jīng)常用未向硅中摻硼。起泡器( bubbler):一種裝置,使其內(nèi)部輸運(yùn)氣體的“冒泡”通過(guò)某種熱液體,將部分液體攜帶走 例如,某種輸運(yùn)氣體(氮?dú)饣蜓鯕猓┟芭萃ㄟ^(guò)98℃~ 99℃的去離子水,到達(dá)氧化管,緩沖氧化物刻蝕( buffered oxide etch):-種氟化氫(HF)和氟化氨(NH。F)的混合物,用來(lái)使氧化物的刻蝕以緩慢、受控的速度進(jìn)行。
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