由圖0-2可知,雙極型晶體管芯片的制造主要由9個(gè)工藝步驟完成。N80C196KC16

   步驟(1)――外延工藝,是在重?fù)诫s的單晶硅片上通過(guò)物理(或化學(xué))的方法生長(zhǎng)輕摻雜的單晶硅層,晶體管的兩個(gè)pn結(jié)就是做在這層輕摻雜的外延層上。

   步驟(2)――氧化工藝,是在硅片表面用熱氧化方法或物理(或化學(xué))薄膜淀積方法得到一層二氧化硅薄膜,作為后續(xù)定域摻雜的掩蔽膜。

   步驟(3)―――次光刻工藝,是在二氧化硅掩蔽膜上光刻出基區(qū)窗口圖形來(lái),以進(jìn)行下一步的基區(qū)摻雜。

   步驟(4)――硼摻雜工藝,是用熱擴(kuò)散或離子注人等方法在n型硅上摻人p型雜質(zhì)硼,日的是獲得晶體管的集電結(jié)。

   步驟(5)――二次光刻工藝,是晶體管制作的第二次光刻,和步驟(3)一樣,目的是在二氧化硅掩蔽膜上光刻出發(fā)射區(qū)窗口圖形來(lái),以進(jìn)行下一步的發(fā)射區(qū)摻雜。工次光刻是在一次光刻基礎(chǔ)上進(jìn)行的,必須與一次光刻圖形對(duì)準(zhǔn)。

   步驟(6)――磷摻雜工藝,與步驟(4)一樣,也是一次摻雜工藝,只是摻人的雜質(zhì)是磷,在p型基區(qū)上摻入n型雜質(zhì)形成了晶體管的發(fā)射結(jié),兩步摻雜工藝構(gòu)成了晶體管的兩個(gè)pn結(jié)。步驟(7)――三次光刻工藝,和前兩次光刻方法相同,目的是光刻出引線孔圖形。步驟(8)――金屬化工藝,是采用物理(或化學(xué))薄膜淀積方法在芯片表面淀積金屬層,作為晶體管芯片內(nèi)的引出電極。

   步驟(9)――四次光刻工藝,這次光刻與前三次光刻承載圖形的薄膜不同,是金屬薄膜。但光刻方法與前三次光刻工藝的方法大致相同。

   由以上晶體管芯片工藝流程可知,晶體管的制造工藝實(shí)質(zhì)上是由外延、氧化、光刻、摻雜、金屬化5個(gè)單項(xiàng)工藝按一定順序排列構(gòu)成的。這5個(gè)單項(xiàng)工藝是集成電路工藝的核心內(nèi)容,其中,光刻工藝在晶體管芯片制造中用到了4次,摻雜工藝用到了2次。