⒛世紀(jì)csO年代出現(xiàn)了磁控直拉法⑴℃Z法)單晶爐,就是在直拉法單晶爐上附加一個(gè)穩(wěn)定的強(qiáng)磁場(chǎng)。 K4X51163PI-FGC6磁控直拉單晶生長(zhǎng)技術(shù)是在直拉技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的,磁控直拉工藝和直拉工藝相類(lèi)似,生長(zhǎng)的單晶硅質(zhì)量更好,能得到均勻、低氧的大直徑硅錠。目前,Mz硅已普遍用來(lái)制造集成電路和分立器件。

   直拉法生長(zhǎng)單晶硅時(shí),坩堝內(nèi)熔體溫度呈一定分布。熔體表面中心處溫度最低,坩堝壁面和底部溫度最高。熔體的溫度梯度帶來(lái)密度梯度,坩堝壁面和底部熔體密度最低,表面中心處熔體密度最高。地球重力場(chǎng)的存在使得坩堝上部密度高的熔體向下流動(dòng),而底部、壁面密度低的熔體向上流動(dòng),形成自然對(duì)流。熔體流動(dòng)軌跡示意圖如圖26所示。隨著單晶硅錠直徑越來(lái)越大,坩堝也就越來(lái)越大,熔體對(duì)流更加嚴(yán)重,進(jìn)而形成強(qiáng)對(duì)流。熔體的流動(dòng)將坩堝表面溶人熔體的氧不斷帶離坩堝表面,進(jìn)人熔體內(nèi);而且熔體強(qiáng)對(duì)流也使得單晶生長(zhǎng)環(huán)境的穩(wěn)定性變差,引起硅錠表面出現(xiàn)條紋,這有損晶體均勻性。如果在單晶爐上附加一強(qiáng)磁場(chǎng),高溫下具有高導(dǎo)電特性的熔體硅的流動(dòng)因載流子切割磁力線而產(chǎn)生洛倫茲力.