氮?dú)忸A(yù)沖洗的目的是清除反應(yīng)器中原有氣體,凈化反應(yīng)器內(nèi)氣氛;再用氫氣預(yù)沖洗,進(jìn)一步LD1117AS50TR凈化反應(yīng)器內(nèi)氣氛;加熱器上電,逐步升溫,使基座和反應(yīng)器壁上吸附的氣體解吸;通氯化氫氣體排空反應(yīng)器內(nèi)解吸的氣體;再用氯化氫氣體腐蝕基座,去除基座及反應(yīng)器壁面吸附的硅等雜質(zhì)。氯化氫是腐蝕性很強(qiáng)的氣體,能與硅等反應(yīng)生成氣態(tài)物質(zhì)。通氫氣沖洗可去除氯化氫等腐蝕性氣體和生成物氣體。降溫至室溫,最后通氮?dú)鉀_洗,排空反應(yīng)器中的氣體。

   經(jīng)以上工藝步驟對(duì)基座及反應(yīng)器進(jìn)行了去硅處理之后,再裝人硅基片,進(jìn)行硅的外延生長(zhǎng)。外延生長(zhǎng)就是在已準(zhǔn)各好的襯底硅片上再進(jìn)行一系列必要操作之后生長(zhǎng)出有一定摻雜濃度的外延層。

典型工藝流程為:N2預(yù)沖洗一H2預(yù)沖洗→升溫至850℃→升溫至1170℃9Hα排空一Hα拋光→H2沖洗附面層→外延生長(zhǎng)一)H2沖洗→降溫9N2沖洗。

   在外延生長(zhǎng)工藝流程中,前后幾個(gè)下序步驟和基座去硅處理作用相同。而直接和外延生長(zhǎng)有關(guān)的工序步驟包括:HCl拋光工序,其作用是將硅基片表面殘存的硅氧化物及晶格不完整的硅腐蝕去掉,露出新鮮和有完整晶格的硅表面,有利于硅外延成核,而且使襯底硅和外延層硅之間鍵合良好,避兔襯底硅表面缺陷向外延層中延伸。然后,用H2沖洗附面層以去除拋光工序中氯化氫氣體及其生成物氣體。外延生長(zhǎng)工序是外延工藝的核心步驟,通人反應(yīng)器的外延氣體包含攜源氣體(載氣)、硅源、摻雜氣體、稀釋氣體。