圖66給出了雜質(zhì)As、P、B在硅中的能量損失與能量關(guān)系的計算值。由圖66可見,對硅靶來說,注入離子不同,其核阻止本領(lǐng)達到最大的能量值是不同的。PA905C6RR較重的原子(如砷)有較大的核阻止本領(lǐng),即單位距離內(nèi)的能量損失較大;硅中的電子阻止本領(lǐng)隨人射離子能量的增加而增加。圖中還標(biāo)出了Sn(E)=Sc(E)日寸的交叉能量。對于離子質(zhì)量比硅原子小的硼來說,交叉點能量只有10keV,這說明在整個實際注入能量范圍(30~300kV)內(nèi),硼離子主要通過電子阻止機構(gòu)消耗能量。另外,對具有較高離子質(zhì)量的砷來說,交點能量有700kV,因此在30~300keV能量范圍內(nèi)砷離子主要通過核阻止機構(gòu)消耗能量。對磷來說,交叉能量為130keV,當(dāng)風(fēng)(130kt・V時,核阻止機構(gòu)起主要作用;在較高的能量下,電子阻止機構(gòu)起主要作用。

   由此注人離子的能量可以分為3個區(qū)域:

   ①低能區(qū):在這個區(qū)域中,核阻止本領(lǐng)占主要地位,電子阻止本領(lǐng)可以忽略。

   ②中能區(qū):在一個比較寬的區(qū)域中,核阻止本領(lǐng)和電子阻止本領(lǐng)同等重要,必須同時考慮。

   ③高能區(qū):在這個區(qū)域中,電子阻止本領(lǐng)占主要地位,核阻止本領(lǐng)可以忽略。但這個區(qū)域的能量值,一般來說超出了集成電路丁藝中的實際應(yīng)用范圍,屬于核物理的研究課題。