我們?cè)?.1節(jié)中曾提到,對(duì)于硅襯底為(100)晶面的半導(dǎo)體器件,應(yīng)力加載于載流子隧道, TC4584BFN可對(duì)器件驅(qū)動(dòng)電流產(chǎn)生極大的影響。對(duì)于NM(B器仵而言,拉應(yīng)力可以顯著提升(110>和(100)晶向溝道的電子遷移率;而壓應(yīng)力則只對(duì)<110>晶向的空穴起作用,對(duì)于<100>晶向溝道的空穴作用可以忽略不計(jì)。在CMC)S工藝流程中,通常會(huì)采用一種有等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)的氮化硅,作為半導(dǎo)體器件和后段互連線之間的金屬前通孔(contact)的刻蝕阻擋層。隨著半導(dǎo)體器件I藝的發(fā)展,對(duì)于器件工作速率的要求越來(lái)越高,這一道刻蝕阻擋層被賦予了更多的使命,可以通過(guò)沉積工藝和沉積后處理來(lái)調(diào)整其薄膜應(yīng)力,從而對(duì)NMOS和PMOS器件均產(chǎn)生積極影響。

   對(duì)于65nm節(jié)點(diǎn)之前的器件來(lái)說(shuō),通常只采用一道拉應(yīng)力氮化硅作為刻蝕阻擋層,可以提升(100)晶面硅襯底上<100)晶向的NMOS的電子遷移率,且對(duì)PM(B沒(méi)有負(fù)面作用。

   當(dāng)半導(dǎo)體工藝發(fā)展到45nm節(jié)點(diǎn)以下時(shí),如何加大PMOS的載流子速度逐漸被提上日程,在這種情況下,業(yè)界先驅(qū)者開(kāi)發(fā)出雙極應(yīng)力刻蝕阻擋層[29~3凵,通采用壓應(yīng)力氮化硅來(lái)提升(100)晶面硅襯底上<110)晶向的PMOS器件的空穴遷移率。這里簡(jiǎn)單介紹一下制造雙極應(yīng)力刻蝕阻擋層的I藝流程。

   (1)包括自對(duì)準(zhǔn)硅化物形成在內(nèi)的前續(xù)工藝;

   (2)金屬前通孔拉應(yīng)力刻蝕阻擋層(氮化硅)沉積;

   (3)去除PMOS器件區(qū)域的拉應(yīng)力氮化硅;

   (4)金屬前通孔壓應(yīng)力刻蝕阻擋層(氮化硅)沉積;

   (5)去除NMOS器件區(qū)域的壓應(yīng)力氮化硅;

  (6)金屬前絕緣層沉積及后續(xù)工序。