當(dāng)集電極電壓%E逐漸增加到某一數(shù)值時(shí),集電結(jié)的反向電流rc,急劇增加,出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。MC79L05ACLP首次出現(xiàn)的擊穿現(xiàn)象稱為一次擊穿,這種擊穿是正常的雪崩擊穿。這一擊穿可用外接串聯(lián)電阻的方法加以控制,只要適當(dāng)限制晶體管的電流(或功耗),流過集電結(jié)的反向電流就不會(huì)太大,如果進(jìn)入擊穿區(qū)的時(shí)間不長(zhǎng),一般不會(huì)引起GTR的特性變壞。但是,一次擊穿后,若繼續(xù)增大偏壓%E,而外接的限流電阻又不變,反向電流Fc將繼續(xù)增大,此時(shí),若GTR仍在工作,GTR將迅速出現(xiàn)大電流,并在極短的時(shí)間內(nèi),會(huì)使器件中出現(xiàn)明顯的電流集中和過熱點(diǎn),且電流急劇增長(zhǎng),此現(xiàn)象便稱為二次擊穿。

   一旦發(fā)生二次擊穿,輕者將使GTR電壓降低、特性變差,重者會(huì)導(dǎo)致集電結(jié)和發(fā)射結(jié)熔通,使晶體管被永久性損壞。

   二次擊穿最終是由于器件局部過熱引起的,而熱點(diǎn)形成需要能量的積累,即需要一定的電壓、電流乘積和一定的時(shí)間。因此,諸如集電極電壓、電流、負(fù)載特性,導(dǎo)通脈沖寬度,基極電路的配置,管芯材料及制造工藝等因素都對(duì)二次擊穿有一定的影響。