①基準(zhǔn)電壓:由三個(gè)等值電阻R組成,串接在叱D與地之間,給比較器C1和o提供基準(zhǔn)電壓。Cl的基準(zhǔn)電壓為2叱丿3,G的基準(zhǔn)電壓為t/DD/3。如果在控制電壓端Co處加控制電壓t/c。,則G和o的基準(zhǔn)電壓分別變?yōu)?。和I/c。/2。當(dāng)Co端不使用時(shí),一般通過(guò)0.01uF電容接地,以防干擾串入。TAS5731MPHPR

   ②比較器:C1和C,是兩個(gè)比較器,比較器Cl的同相輸入端TH為閾值端,比較器C2的反相輸入端TR為觸發(fā)端。

   當(dāng)閾值電壓飾H(2乙bD/3時(shí),比較器Cl輸出低電平;I/TH>2I/DD/3時(shí),比較器C1輸出高電平。當(dāng)觸發(fā)端電壓σ頁(yè)(叱D/3時(shí),比較器C2輸出高電平,反之,比較器C2輸出低電平。比較器的輸入電阻很高,幾乎不向外電路索取電流。

   ③基本Rs觸發(fā)器:基本Rs觸發(fā)器由兩個(gè)或非門交叉耦合組成,其狀態(tài)Q取決于比較器的輸出。R為外部復(fù)位端,無(wú)論觸發(fā)器是什么狀態(tài),通過(guò)復(fù)位端R加低電平信號(hào),可強(qiáng)制復(fù)位,使Q為“0”。當(dāng)不使用R端時(shí),應(yīng)將其接到電源%D。

   ④驅(qū)動(dòng)器和放電開關(guān):驅(qū)動(dòng)器即反相器Ⅱ,由低阻的CMOS反相器組成,用來(lái)提高定時(shí)器的負(fù)載能力并隔離外加負(fù)載對(duì)定時(shí)器的響。放電開關(guān)即漏極開路的NMOS管VT,其導(dǎo)通與截止受反相器I控制。連接在D端的電容可以通過(guò)導(dǎo)通的VT管放電,所以稱為放電開關(guān)。