顧名思義,外延(Epitaxy)技術是指在具有一定結晶取向的原有晶體(一般稱為襯底)上向“外”延伸出并按一定晶體學方向生長薄膜的方法,RA06H8285M這個延續(xù)生長出的晶體層被稱為外延層。在晶格匹配的襯底上,利用金屬有機物為源材料進行的化學氣相外延生長,根據其英文全稱Mctal-Organicˇ即or Phasc Epitaxy,一般簡化為MOVPE�；谕庋釉家饬x,它也涵蓋材料生長中在己有材料(或襯底)上的覆蓋生長(Ncrgrowth)成膜現象。

   不論是氮化物系列的藍綠光LED,還是AlGaInP系列的紅黃光LED,目前其大規(guī)模生產制造工藝主要采用MOCVD設備與技術,其中文名稱是“金屬有機物化學氣相沉積”,顧名思義,就是利用金屬有機物為源材料進行的化學氣相沉積技術。用MOCVD進行LED材料外延的的基本生長原理是:氫氣或惰性氣體(氮氣、或氬氣)作為載氣把含有Ⅲ族元素的金屬有機物(Mo)源和含有V族元素的非金屬氫化物(NH3,AsH3,或PH3)攜帶到 反應室中的加熱襯底上方,在氣相和氣固界面發(fā)生一系列化學和物理變化,最終在襯底上形成外延層。

   以生長藍綠光LED結構中最基本最核心的氮化鎵(⒍Ⅸ)為例,載氣(氫氣、氮氣、或氬氣)通過容有三甲基鎵[GH3)3Ga,簡寫為TMGa]的鼓泡源瓶,攜帶其蒸氣進入反應室;Ga金屬源蒸氣與進入反應室的NH3在加熱到約110O℃的襯底表面(如藍寶石),發(fā)生如下反應: