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晶閘管的過電流保護和過電壓保護有哪些措施?

發(fā)布時間:2018/7/26 21:08:42 訪問次數(shù):3516

   晶閘管的過電流保護和過電壓保護有哪些措施?

   答:晶閘管在工作過程中,因各種原因會產(chǎn)生過電壓或過電流,其保護措施如下。 Q24-24W過電壓保護:①阻容吸收回路。通常過電壓均具有較高的頻率,因此常用電容作為吸收元件,為防止振蕩,常加阻尼電阻,構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè)、直流側(cè),或并接在晶閘管的陽極與陰極之間。吸收電路最好選用無感電容,接線應盡量短。②由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路。上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的,有時對時間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電,抑制過電壓的效果較差。因此,一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點是其動作電壓與溫度有關(guān),溫度越低耐壓越高;另外是硒堆具有自恢復特性,能多次使用,當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被熔化的硒重新覆蓋,又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,其結(jié)構(gòu)為兩個電極,電極之間填充的粒徑為10~50um的不規(guī)則的ZnO微結(jié)晶,結(jié)晶粒間是厚約1um的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),只有很小的漏電流,其值小于100uA。當加上電壓時,引起了電子雪崩,粒界層迅速變成低阻抗,電流迅速增加,泄漏了能量,抑制了過電壓,從而使晶間管得到保護。浪涌過后,粒界層又恢復為高阻態(tài)。

   晶閘管過電流保護方法最常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動作太慢,在熔斷器尚未熔斷之前晶間管已被燒壞,所以不能用來保護晶閘管?焖偃蹟嗥饔摄y制熔絲埋于石英砂內(nèi),熔斷時間極短,可以用來保護晶閘管。



   晶閘管的過電流保護和過電壓保護有哪些措施?

   答:晶閘管在工作過程中,因各種原因會產(chǎn)生過電壓或過電流,其保護措施如下。 Q24-24W過電壓保護:①阻容吸收回路。通常過電壓均具有較高的頻率,因此常用電容作為吸收元件,為防止振蕩,常加阻尼電阻,構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè)、直流側(cè),或并接在晶閘管的陽極與陰極之間。吸收電路最好選用無感電容,接線應盡量短。②由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路。上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的,有時對時間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電,抑制過電壓的效果較差。因此,一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點是其動作電壓與溫度有關(guān),溫度越低耐壓越高;另外是硒堆具有自恢復特性,能多次使用,當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被熔化的硒重新覆蓋,又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,其結(jié)構(gòu)為兩個電極,電極之間填充的粒徑為10~50um的不規(guī)則的ZnO微結(jié)晶,結(jié)晶粒間是厚約1um的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),只有很小的漏電流,其值小于100uA。當加上電壓時,引起了電子雪崩,粒界層迅速變成低阻抗,電流迅速增加,泄漏了能量,抑制了過電壓,從而使晶間管得到保護。浪涌過后,粒界層又恢復為高阻態(tài)。

   晶閘管過電流保護方法最常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動作太慢,在熔斷器尚未熔斷之前晶間管已被燒壞,所以不能用來保護晶閘管?焖偃蹟嗥饔摄y制熔絲埋于石英砂內(nèi),熔斷時間極短,可以用來保護晶閘管。



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