低頻磁場抗擾度測試頻率要求見表C-14,測試過程中DUT的I作狀態(tài)應(yīng)與EMC測試計劃一致。采用磁場輻射環(huán)方法實施測試前,應(yīng)先按照s011452-8所規(guī)定的步驟進行校準,再按表C-14中的頻率要求實施測試c僅允許使用帶寬足夠大的電流探頭監(jiān)測同路電流,禁止使用分流器。其他注意事項如下: M1MA152KT1G

   l一被測件DUT;2一輻射環(huán);3一電流探頭;4一佶號源和放大器;5一示波器;

   6一電池;7一電池;8一傳感器;9―執(zhí)行器;

   10一絕緣攴架;11一接地平板(需要時);12一三軸向位置

   圖C19 低頻磁場抗擾度輻射環(huán)法測試布置圖

    ●將DUT各表面分為100mm×100mm的方格,將輻射環(huán)對準方格中心c如果DUT表面小于100mm×lflO mm"則將輻射環(huán)對準DUT表面的中心。輻射環(huán)與DUT表面的距離為~sO mm,環(huán)形傳感器應(yīng)與DUT表面平行艮與所有接插件軸向平行;

   ●對每一個測試位置,在規(guī)定的每一個頻點,向輻射環(huán)提供足夠的電流,以產(chǎn)生符合要求等級的磁場;

   ●駐留時間不少于2s。如果DUT響應(yīng)時間長于2s,則應(yīng)適當延長駐留時問,駐留時間的改變應(yīng)記錄在測試計劃中;

   ●如果發(fā)現(xiàn)偏離,應(yīng)降低場強直到DUT功能恢復(fù)正常,再增大場強直到偏離再次出現(xiàn),這一點的場強應(yīng)記錄為偏離的閾值;

  ●如果DUT有附屬的電磁傳感器,當檢驗DUT是否正常I作時,需要額外將傳感器暴露在磁場中。