結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)
發(fā)布時間:2019/2/15 20:19:54 訪問次數(shù):1537
結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)
場效應(yīng)管與三極管一樣具有放大能力,三極管是電流控制型元器件,而場效應(yīng)管是電壓控制型器件。 MC56F8122VFAE場效應(yīng)管主要有結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場應(yīng)管,它們除了可參與構(gòu)成放大電路外,還可當(dāng)作電子開關(guān)使用。IGBT又稱絕緣柵型雙極型場效應(yīng)管,它可以看成是由三極管與絕緣柵型場應(yīng)管組合而成,它綜合了這兩種元器件的優(yōu)點,廣泛應(yīng)用在各種中小功率的電力電子設(shè)各中。
結(jié)型場效應(yīng)管外形與符號如圖11△4所示。
P溝逍結(jié)型場效應(yīng)管N溝逍結(jié)型場效應(yīng)管
(a)實物外形 (b)結(jié)型場效管的電路符號
圖11-14 場效應(yīng)管
結(jié)構(gòu)工作原理
與三極管一樣,結(jié)型場效應(yīng)管也是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成,三極管有PNP型和NPN型兩種,場效應(yīng)管則分P溝道和N溝道兩種。兩種溝道的結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如圖11△5所示。
(a)N溝道(b)P溝道 (c)D、s極之間加有電壓
圖11-15 結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)說明圖
圖11-15(a)為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)圖。從圖中可以看出,場效應(yīng)管內(nèi)部有兩塊P型半導(dǎo)體,它們通過導(dǎo)線內(nèi)部相連,再引出一個電極,該電極稱柵極G,兩塊P型半導(dǎo)體以外的部分均為N型半導(dǎo)體,在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體交界處形成兩個耗盡層(即PN結(jié)),耗盡層中間區(qū)域為溝道,由于溝道由N型半導(dǎo)體構(gòu)成,所以稱為N溝道,漏極D與源極s
分別接在溝道兩端。
圖11-15(b)為P溝道結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)圖,P溝道場效應(yīng)管內(nèi)部有兩塊N型半導(dǎo)體,柵極G與它們連接,兩塊N型半導(dǎo)體與鄰近的P型半導(dǎo)體在交界處形成兩個耗盡層,耗盡層中間區(qū)域為P溝道。
結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)
場效應(yīng)管與三極管一樣具有放大能力,三極管是電流控制型元器件,而場效應(yīng)管是電壓控制型器件。 MC56F8122VFAE場效應(yīng)管主要有結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場應(yīng)管,它們除了可參與構(gòu)成放大電路外,還可當(dāng)作電子開關(guān)使用。IGBT又稱絕緣柵型雙極型場效應(yīng)管,它可以看成是由三極管與絕緣柵型場應(yīng)管組合而成,它綜合了這兩種元器件的優(yōu)點,廣泛應(yīng)用在各種中小功率的電力電子設(shè)各中。
結(jié)型場效應(yīng)管外形與符號如圖11△4所示。
P溝逍結(jié)型場效應(yīng)管N溝逍結(jié)型場效應(yīng)管
(a)實物外形 (b)結(jié)型場效管的電路符號
圖11-14 場效應(yīng)管
結(jié)構(gòu)工作原理
與三極管一樣,結(jié)型場效應(yīng)管也是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成,三極管有PNP型和NPN型兩種,場效應(yīng)管則分P溝道和N溝道兩種。兩種溝道的結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如圖11△5所示。
(a)N溝道(b)P溝道 (c)D、s極之間加有電壓
圖11-15 結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)說明圖
圖11-15(a)為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)圖。從圖中可以看出,場效應(yīng)管內(nèi)部有兩塊P型半導(dǎo)體,它們通過導(dǎo)線內(nèi)部相連,再引出一個電極,該電極稱柵極G,兩塊P型半導(dǎo)體以外的部分均為N型半導(dǎo)體,在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體交界處形成兩個耗盡層(即PN結(jié)),耗盡層中間區(qū)域為溝道,由于溝道由N型半導(dǎo)體構(gòu)成,所以稱為N溝道,漏極D與源極s
分別接在溝道兩端。
圖11-15(b)為P溝道結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)圖,P溝道場效應(yīng)管內(nèi)部有兩塊N型半導(dǎo)體,柵極G與它們連接,兩塊N型半導(dǎo)體與鄰近的P型半導(dǎo)體在交界處形成兩個耗盡層,耗盡層中間區(qū)域為P溝道。
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