電路符號

   耗盡型MOs管也有N溝道和P溝道之分。耗盡型MOs管的外形與符號如圖11-24所示。 P4500SA

   結(jié)構(gòu)與原理

   P溝道和N溝道的耗盡型場效應(yīng)管工作原理基本相同,下面以N溝道耗盡型MOS管(簡稱耗盡型NMOs管)為例來說明耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)與原理。耗盡型NMOS管的結(jié)構(gòu)與等效符號如圖ll泛5所示。

   N溝道耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管是以P型硅片作為基片(又稱襯底),在基片上再制作兩個含很多雜質(zhì)的N型材料,冉在上面制作一層很薄的二氧化硅(S⒑2)絕緣層,在兩個N型材料上引出兩個鋁電極,分別稱為漏極(D)和源極(S),在兩極中間的二氧化硅絕緣層上制作一層鋁制導(dǎo)電層,從該導(dǎo)電層上引出電極稱為G極。