機電致發(fā)光器件在瞬態(tài)電壓的驅(qū)動下給出光發(fā)射
發(fā)布時間:2019/4/10 20:48:04 訪問次數(shù):941
與注人型瞬態(tài)暗電流方法類似,瞬態(tài)電致發(fā)光也是利用脈沖波產(chǎn)生瞬態(tài)電壓伸日在小于⒛ns的時間內(nèi)產(chǎn)生3~ωV的電壓)。但本方法是收集瞬態(tài) 發(fā)光信號,而不是電流信號。有機電致發(fā)光器件在瞬態(tài)電壓的驅(qū)動下給出光發(fā)射,使用高響應(yīng)的硅基光電倍增管可以得到檢測,并儲存于示波器。通過檢測到的瞬態(tài)電致發(fā)光時間(莎T),利用式。17sJ來計算載流子遷移率。通常情況下,有機材料中電子和空穴兩種載流子的遷移率有很大差別,電子遷移率小于空穴遷移率。利用瞬態(tài)電致發(fā)光,檢測快速載流子和慢載流子的器件結(jié)構(gòu)有所不同,如圖2.”所示。檢測材料體系中輸運較快的載流子的遷移率,采用的是單層器件結(jié)構(gòu)(圖2.99);而檢測材料體系中輸運較慢的載流子的遷移率需要構(gòu)筑雙層器件結(jié)構(gòu)(圖2.99))。在雙層器件結(jié)構(gòu)中,包含空穴傳輸層(HTL)和電子傳輸層rETL)。在外加電場的作用下,空穴和電子分別從陽極和陰極注人。由于HTL中空穴的遷移率較大,當(dāng)空穴從陽極注入后,會很快地通過HTL傳輸聚集在HTL/ETL的界面處。正負載流子的復(fù)合以及隨后的發(fā)光,只有在遷移率較慢的電子通過ETL的傳輸到達HTL/ETL界面時才能發(fā)生。因此,瞬態(tài)電致發(fā)光時間(JTJ代表了電子穿越ETL的時間,可用來計算ETL中電子的遷移率。在單層器件中,通常情況下有機材料中一種載流子的遷移率遠遠大于另外一種載流子的遷移率。因此遷移率較小的載流子可視為靜止,電致發(fā)光的產(chǎn)生歸功于快速載流子從有機層的一端輸運到另一端,與慢載流子復(fù)合的結(jié)果。于是瞬態(tài)發(fā)光的時間(JT)對應(yīng)于材料中快速載流子的遷移。
與注人型瞬態(tài)暗電流方法類似,瞬態(tài)電致發(fā)光也是利用脈沖波產(chǎn)生瞬態(tài)電壓伸日在小于⒛ns的時間內(nèi)產(chǎn)生3~ωV的電壓)。但本方法是收集瞬態(tài) 發(fā)光信號,而不是電流信號。有機電致發(fā)光器件在瞬態(tài)電壓的驅(qū)動下給出光發(fā)射,使用高響應(yīng)的硅基光電倍增管可以得到檢測,并儲存于示波器。通過檢測到的瞬態(tài)電致發(fā)光時間(莎T),利用式。17sJ來計算載流子遷移率。通常情況下,有機材料中電子和空穴兩種載流子的遷移率有很大差別,電子遷移率小于空穴遷移率。利用瞬態(tài)電致發(fā)光,檢測快速載流子和慢載流子的器件結(jié)構(gòu)有所不同,如圖2.”所示。檢測材料體系中輸運較快的載流子的遷移率,采用的是單層器件結(jié)構(gòu)(圖2.99);而檢測材料體系中輸運較慢的載流子的遷移率需要構(gòu)筑雙層器件結(jié)構(gòu)(圖2.99))。在雙層器件結(jié)構(gòu)中,包含空穴傳輸層(HTL)和電子傳輸層rETL)。在外加電場的作用下,空穴和電子分別從陽極和陰極注人。由于HTL中空穴的遷移率較大,當(dāng)空穴從陽極注入后,會很快地通過HTL傳輸聚集在HTL/ETL的界面處。正負載流子的復(fù)合以及隨后的發(fā)光,只有在遷移率較慢的電子通過ETL的傳輸到達HTL/ETL界面時才能發(fā)生。因此,瞬態(tài)電致發(fā)光時間(JTJ代表了電子穿越ETL的時間,可用來計算ETL中電子的遷移率。在單層器件中,通常情況下有機材料中一種載流子的遷移率遠遠大于另外一種載流子的遷移率。因此遷移率較小的載流子可視為靜止,電致發(fā)光的產(chǎn)生歸功于快速載流子從有機層的一端輸運到另一端,與慢載流子復(fù)合的結(jié)果。于是瞬態(tài)發(fā)光的時間(JT)對應(yīng)于材料中快速載流子的遷移。
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