HCF4094

   小(如60mV/decade),rD~/G曲線將越陡,表明器件性能較好。而較大的亞閾值漂移通常意味著器件中存在上述某些問題,器件的開啟區(qū)域?qū)啤?/span>將s乘以器件介電層的電容參數(shù)(Gx),可以得到歸一化的亞閾值漂移,該值可用于比較不同介電材料的器件性能。

    結(jié)合場效應(yīng)晶體管器件的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性曲線,可以獲得器件的電流開關(guān)比參數(shù)。電流開關(guān)比定義為器件開狀態(tài)電流與關(guān)狀態(tài)電流的比值,通常以10芮形式表示。其中,關(guān)狀態(tài)電流可以根據(jù)器件在給定柵電壓下的輸出曲線中,閾值電壓對應(yīng)的電流值獲得,而開狀態(tài)電流的取值與一定柵電壓下器件輸出曲線中的飽和電流對應(yīng)。顯而易見,高的開關(guān)比需要高的開狀態(tài)電流和小的關(guān)狀態(tài)電流,而這些特性分別與半導(dǎo)體的遷移率和摻雜狀態(tài)相關(guān)。

    另外,如果在兩個方向掃描柵電壓,得到循環(huán)fD~/G曲線,可用來研究器件的滯后現(xiàn)象。滯后現(xiàn)象指回掃漏電流小于正方向掃描電流的現(xiàn)象,理想狀態(tài)下,該現(xiàn)象不存在或者很小。如果滯后現(xiàn)象很大,說明半導(dǎo)體材料純度不夠,或者半導(dǎo)體與絕緣體之間的界面存在一定的問題。