HD74HC595FPEL

   分子結(jié)構(gòu)和真空蒸鍍薄膜在原子力顯微鏡(atom憶force血croscop、AFM)下的形貌。其中,一層一層的結(jié)構(gòu)表示并五苯單分子層與單分子層之間的排列,相鄰兩層之間的距離為15.4A。圖3,18o)是通過X射線得到的并五苯薄膜晶體中分子與分子之間的排列方式,圖中所示的cb平面與襯底表面平行,因此包含在該平面方向上的分子將“站”在襯底表面上。當(dāng)具有這樣層結(jié)構(gòu)薄膜靠近場效應(yīng)晶體管的絕緣層或者遍布于整個溝道時,與其他排列方式薄膜相比,器件的遷移率將有顯著提高。圖3.18(c)是并五苯分子在三種堆疊方式下,通過理論計算獲得的分子之間HoMo軌道重疊情形�？梢钥闯�,“面-面”排列的兩個并五苯分子的HOMO軌道重疊,要比其他兩種“邊緣一面”排列情形下的HOMo軌道重疊大。較大的軌道重疊,將有利于載流子在分子之間的輸運。

    圖3.19展示了在氧化鋁絕緣層上引人自組裝單分子層tsAM)的真空蒸鍍并五苯場效應(yīng)晶體管性能曲線。由于sAM的引入,使蒸鍍的并五苯可以形成多晶結(jié)構(gòu),如圖3,19所示,根據(jù)圖中曲線,該多晶并五苯器件參數(shù)如下:飽和區(qū)域遷移率為3,4cm2閾值電壓為10.4V,亞閾值漂移為3.4Wdecade,電流開關(guān)比為1,5×106。

   與上述多晶并五苯薄膜相比,單晶并五苯的分子排列更加整齊,且陷阱及界面也顯著減少,使載流子表現(xiàn)出能帶輸運模式,遷移率大大提高。研究顯示,并五苯單晶的場效應(yīng)遷移率室溫下達(dá)35cm低溫5K下可高達(dá)。雖然非晶態(tài)并五苯相對于其單晶和多晶形態(tài)表現(xiàn)出 的場效應(yīng)遷移率較小,但也達(dá)到了1cm2/q,往往優(yōu)于其他材料。