HEF4894BT

  利用圖3.23(c)所示的紅熒烯單晶,通過夾層黏合方法,可以制各不

同尺寸的場效應(yīng)晶體管,其輸出特性和轉(zhuǎn)移特性見圖3.23。從電流輸出特性曲線,可以很好地分辨出電流的線性及飽和區(qū)域。該器件表現(xiàn)出常關(guān)態(tài)。隨著柵電壓的加載和增大,器件的飽和電流也增大。在漏電壓非常 低時(圖3,23嵌人圖),所有柵電壓下器件都表現(xiàn)出很好的線性關(guān)系,說明器件的界面為歐姆接觸。通過不同器件的轉(zhuǎn)移特性,可以看出所有器件都表現(xiàn)出類似的場效應(yīng)遷移率0,3cm2/(V・sD和亞閾值電壓漂移m,5±0.s,nF・Wdecade器件的飽和電流表現(xiàn)出隨V/E比值增大而增大的特征。

    雖然利用稠環(huán)芳香化合物制各的單晶以及多晶薄膜可以得到相當(dāng)可觀的場效應(yīng)遷移率,但是有機(jī)單晶/多晶比較脆弱,大尺寸生長困難,單晶的加工也較困難。在絕緣層上制各場效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體層的傳統(tǒng)方法,如氣相沉積和溶液加工,都很難應(yīng)用于有機(jī)材料的單晶生長。同時,傳統(tǒng)的加工方法也會破壞有機(jī)單晶的表面甚至導(dǎo)致晶體的碎裂。因此有機(jī)單晶/多晶場效應(yīng)晶體管不適于大規(guī)模生產(chǎn)。另外稠環(huán)的芳香化合物對光敏感,在大氣氛圍內(nèi)易于老化,這類化合物的真正應(yīng)用潛能不大。