HC259M

   由酞菁銅形成的ITo與空穴傳輸材料之間的緩沖層。酞菁銅(∞pper phtha1ocyanine,CuPc)是最早用于oLED器件的陽極修飾

材料之一u糾,它的HOMO能級(jí)約為4,8eV。研究表明,使用CuPc修飾ITO制備的器件既可以提高器件效率,又可以提高器件壽命,而且CuPc對(duì)ITO的修飾有不同的作用機(jī)制。一方面,CuPc在ITO表面的引人,由于向空穴傳輸層(如NPB)注入勢(shì)壘增加[未引人CuPc空穴勢(shì)壘:5,4-5.0=0,4(eVl;引入CuPc空穴勢(shì)壘:5,4-4.8=0.6(eV)],降低了空穴注人效率,提高正負(fù)載流子的注人平衡,因此器件效率增加圇;另一方面,當(dāng)CuPc內(nèi)嵌與ITO與空穴傳輸材料TPDe刀ˉbis[Nˉ3ˉmethylphenyl-Nˉphenyl-amino]-biphenyD之間時(shí),發(fā)現(xiàn)空穴注人增強(qiáng)的現(xiàn)象u叫。造成這種情形的原因是ITO表面比較復(fù)雜,其功函數(shù)大小與清洗及處理過程密切相關(guān)。由于CuPc的HOMO能級(jí)與ITO 費(fèi)米能級(jí)非常接近,不同的處理方法,使CuPc的HoMO可能處于ITo的上方,也可能處于ITO的下方。顯然,后者可以增強(qiáng)注人,而前者則降低注人,如圖5.16所示。以CuPc修飾ITO的另一個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)是它可以提示ITO表面的規(guī)整度,增強(qiáng)有機(jī)材料在襯底上的附著,因此有CuPc修飾的ITO襯底通常使器件穩(wěn)定性和壽命得到提高。

   圖5,16 CuPG對(duì)ITo修飾產(chǎn)生的兩種情況及對(duì)后面空穴注人勢(shì)壘的影響la)CuPc的HOM0在ITo費(fèi)米能級(jí)的下方,向HTL注入空穴的勢(shì)壘tAΘ降低;lb)CuP。的HOMo在ITo費(fèi)米能級(jí)的上方,向HTL注人空穴的勢(shì)壘tAo增大