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庫(kù)倫分析法和循環(huán)伏安法

發(fā)布時(shí)間:2019/4/29 21:05:10 訪問(wèn)次數(shù):1691

   庫(kù)倫分析法和循環(huán)伏安法

   這兩種方法的基本裝置原理示意圖如6.10所示。它由一個(gè)包括恒電位儀的三電極系統(tǒng)構(gòu)成,恒電位儀的輸出和輸入分別連接到一個(gè)反向電極和一個(gè)參比電極。這個(gè)穩(wěn)壓電源的作用是用來(lái)控制電解液的電勢(shì)并使之保持在設(shè)定的條件下。 圖610 a)采用二電極配置庫(kù)倫分析法或循環(huán)伏安法探測(cè)系統(tǒng)的基本配置b)適用于陣列工作并行讀出的等效電路圖工作電極經(jīng)過(guò)修飾攜帶上示蹤分子。在雜交反應(yīng)成功的情況下,標(biāo)記有電化學(xué)活性標(biāo)記分子的靶分子就會(huì)出現(xiàn)。如果工作電極相對(duì)于參比電極的電勢(shì)變化了一定的量,其數(shù)值取決于電化學(xué)系統(tǒng)(實(shí)際情況下典型數(shù)值為幾百mⅤ),電化學(xué)標(biāo)記分子就會(huì)被氧化或者還原,從而實(shí)現(xiàn)電荷從標(biāo)記到電極的輸運(yùn),反之亦然。

HD74HC00P

   對(duì)于庫(kù)倫分析法的情況,在實(shí)際測(cè)量配置中,通過(guò)對(duì)給定時(shí)間窗口內(nèi)的電荷 進(jìn)行積分測(cè)量得到`總電荷。從標(biāo)記獲得的`總電荷量Qlabd等于Qlabd=z×g×Dpr。be×⒕lI e 每個(gè)氧rt/還原反應(yīng)的電子數(shù)和標(biāo)記分子(通常為較小的整數(shù),經(jīng)常為1);g為基本電荷單元(=1.6×1019As);Dpr。be為在測(cè)試點(diǎn)上示蹤分子的密度[典型值(10nm)2或略小];⒕眥為工作電極的面積。例如,對(duì)于一個(gè)圓形電極直徑100um和Dpr。be〓(10nm)2,得到Qlabd≈12,6pA。很明顯,如果電勢(shì)的改變不是施加到工作電極而是通過(guò)恒電位儀(輔助極性設(shè)置參照?qǐng)D6.10a的裝置),就可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)等效電路。這個(gè)配置特別適用于有許多工作電極的陣列器件及并行讀出方式[26]。相關(guān)的設(shè)置如圖6.10b所示。

   

   庫(kù)倫分析法和循環(huán)伏安法

   這兩種方法的基本裝置原理示意圖如6.10所示。它由一個(gè)包括恒電位儀的三電極系統(tǒng)構(gòu)成,恒電位儀的輸出和輸入分別連接到一個(gè)反向電極和一個(gè)參比電極。這個(gè)穩(wěn)壓電源的作用是用來(lái)控制電解液的電勢(shì)并使之保持在設(shè)定的條件下。 圖610 a)采用二電極配置庫(kù)倫分析法或循環(huán)伏安法探測(cè)系統(tǒng)的基本配置b)適用于陣列工作并行讀出的等效電路圖工作電極經(jīng)過(guò)修飾攜帶上示蹤分子。在雜交反應(yīng)成功的情況下,標(biāo)記有電化學(xué)活性標(biāo)記分子的靶分子就會(huì)出現(xiàn)。如果工作電極相對(duì)于參比電極的電勢(shì)變化了一定的量,其數(shù)值取決于電化學(xué)系統(tǒng)(實(shí)際情況下典型數(shù)值為幾百mⅤ),電化學(xué)標(biāo)記分子就會(huì)被氧化或者還原,從而實(shí)現(xiàn)電荷從標(biāo)記到電極的輸運(yùn),反之亦然。

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   對(duì)于庫(kù)倫分析法的情況,在實(shí)際測(cè)量配置中,通過(guò)對(duì)給定時(shí)間窗口內(nèi)的電荷 進(jìn)行積分測(cè)量得到`總電荷。從標(biāo)記獲得的`總電荷量Qlabd等于Qlabd=z×g×Dpr。be×⒕lI e 每個(gè)氧rt/還原反應(yīng)的電子數(shù)和標(biāo)記分子(通常為較小的整數(shù),經(jīng)常為1);g為基本電荷單元(=1.6×1019As);Dpr。be為在測(cè)試點(diǎn)上示蹤分子的密度[典型值(10nm)2或略小];⒕眥為工作電極的面積。例如,對(duì)于一個(gè)圓形電極直徑100um和Dpr。be〓(10nm)2,得到Qlabd≈12,6pA。很明顯,如果電勢(shì)的改變不是施加到工作電極而是通過(guò)恒電位儀(輔助極性設(shè)置參照?qǐng)D6.10a的裝置),就可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)等效電路。這個(gè)配置特別適用于有許多工作電極的陣列器件及并行讀出方式[26]。相關(guān)的設(shè)置如圖6.10b所示。

   

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