基于標(biāo)記方法

   使用金納米顆粒標(biāo)記靶分子的想法已經(jīng)大量出版報道,同時使用在雜交反應(yīng)后銀沉淀析出的工藝步驟[3:4°]�；舅枷肴鐖D6,⒛所示,雜交化階段過后(如圖6,⒛a所示),銀大量附著在樣品上。出現(xiàn)在雙鏈DNA位置的金粒子作為銀簇集的種子層使其在這些位置開始生長(如圖6.⒛b所示)。經(jīng)過進一步沉淀,在相關(guān)位置形成致密的銀毯(如圖6,⒛c所示)。然而,隨著這個銀毯將進一步擴展并最終也覆蓋或較少數(shù)量或沒有雙鏈DNA分子的位置,所有基于這種技術(shù)的檢測均需要考慮所選擇用以探測銀層擴展的特征參數(shù)隨著時間的發(fā)展變化規(guī)律。

LL103A

   為了測量銀毯在所關(guān)注區(qū)域的擴展,提出了各種各樣的探測技術(shù):

   1)絕緣層隔離的電極間電導(dǎo)率測量[3:]

   2)隔離電極間的交流參數(shù)測量[39]。

   3)光學(xué)衰減(通過CMOS成像芯片探測或完全純光學(xué)裝置)[40]。