結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

   結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管又分為N溝道和P溝道兩種類型。

   如圖5-17(a)所示為N溝道JFET的結(jié)構(gòu)示意圖,圖中,在同一塊N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū),并將它們連接在一起,所引出的電極稱為柵極G,N型半導(dǎo)體的兩端分別引出兩個(gè)電極,一個(gè)稱為漏極D,一個(gè)稱為源極S。P區(qū)與N取交界面形成耗盡層,漏極與柵極間的非耗盡層區(qū)域稱為導(dǎo)電溝道。 ECASD40J107M015K00

   如圖5-17(b)所示門(mén)極的箭頭指向?yàn)镻指向N方向,分別表示內(nèi)向?yàn)镹溝道JFET,外向?yàn)镻溝道JFET。圖5-17(a)表示N溝道JFET的特性示例。以此圖為基礎(chǔ)了解JFET的電氣特性。

   首先,門(mén)極一源極間電壓以0V時(shí)考慮(/G疒0V),在此狀態(tài)下漏極一源極間電壓‰s從0V開(kāi)始增加,漏電流rD幾乎與‰s成比例增加,將此區(qū)域稱為非飽和區(qū)�！雜達(dá)到某值以上漏電流rD的變化變小,幾乎達(dá)到一定值。此時(shí)的rD稱為飽和漏電流(有時(shí)也稱漏電流用rD“表示)。與止匕JDs對(duì)應(yīng)的‰s稱為夾斷電壓/P,此區(qū)域稱為飽和區(qū)。其次,在漏極一源極間加一定的電壓‰s(例如0,8V),/Gs值從0開(kāi)始向負(fù)方向增加,JD的值從JD“開(kāi)始慢慢地減少,當(dāng)rD=o時(shí)的呢s稱為門(mén)極-源極間夾斷電壓或截止電壓,用/Gs�！惚硎�。N溝道JFET的情況則是其/GsOη值帶有負(fù)號(hào)。關(guān)于JFET為什么表示這樣的特性,用圖5-17(c)進(jìn)行簡(jiǎn)單的

說(shuō)明。

    簡(jiǎn)單概括場(chǎng)效應(yīng)管工作原理,就是“漏極一源極間流經(jīng)溝道的JD,是由門(mén)極與溝道間的PN結(jié)形成的反偏的門(mén)極電壓控制”。更準(zhǔn)確地說(shuō),rD流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由PN結(jié)反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在/Gs=0的非飽和區(qū)域,圖5-17(a)表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?根據(jù)漏極一源極間所加‰s的電場(chǎng),源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流rD流動(dòng)。達(dá)到飽和區(qū)域如圖5-17(a)所示,從門(mén)極向漏極擴(kuò)展的過(guò)渡層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,rD飽和,將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng),在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極一源極間的電場(chǎng),實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門(mén)極下部附近,由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。如圖5-17(b)所示,即便再增加‰s,因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變,產(chǎn)生JD的飽和現(xiàn)象。其次,如圖5-17(c)所示,/Gs向負(fù)的方向變化,讓/G疒/Gsl。。,此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且‰s的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上,將電子拉向漂移方向的電場(chǎng),只有靠近源極很小的部分,這更使電流不能流通。