IMEC最近演示了在高K門堆棧頂部集成完全硅化的NiSi門，并聲稱這項潛在性的突破有望使45納米制造工藝的開發(fā)成為現(xiàn)實。

　　這項研究是對高K門堆棧的補(bǔ)充，以取代二氧化硅。由于多晶耗散效應(yīng)，目前統(tǒng)領(lǐng)CMOS工藝標(biāo)準(zhǔn)的多晶硅門已成為45納米及以下節(jié)點工藝CMOS器件的攔路虎。

　　取代物是金屬門材料。但對于PMOS和NMOS晶體管需要采取不同的金屬材料和相應(yīng)的勢壘層，以平衡閾值電壓和現(xiàn)有的復(fù)雜性問題。IMEC高級器件工程師Stefan Kubicek表示，金屬門實現(xiàn)的最早方法是完全硅化的多晶硅門，也稱為FUSI，在電路中形成硅化鎳門。它也可以被視為多晶硅門的延伸。除此之外，因0.5V區(qū)閾值電壓對稱，F(xiàn)USI還可被用于PMOS和NMOS晶體管。

　 “采用多晶硅無法滿足藍(lán)圖要求，但FUSI輕松顯示出了解決方案，”IMEC表示。然而FUSI目前還存在一些問題，原因還有待研究。IMEC研究人員Marc Heyns表示，“長遠(yuǎn)來看，尤其是高性能要求，將需要全金屬門�！�