國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)（SICAS）日前發(fā)布了2004年第二季度（4月～6月）全球半導(dǎo)體產(chǎn)能和開工率。

    MOS IC產(chǎn)能按200mm晶圓換算相當(dāng)于1297千枚/周，與上一季度（2004年第一季度）相比，增加了2.5%，與去年同期相比增加了8.4%，持續(xù)高速增長。帶動(dòng)整體增長的是采用不足0.16μm尖端技術(shù)的產(chǎn)能的大幅增加（圖1）。2004年第二季度不同設(shè)計(jì)工藝的產(chǎn)能與上一季度相比的增長率方面，0.7μm以上為－1.3%，0.4μm～0.7μm為＋3.0%， 0.3μm～0.4μm為＋1.7%，0.2μm～0.3μm為－3.9%，0.16μm～0.2μm為－10.6%，不足0.16μm工藝為＋14.0%（圖2）。不足0.16μm工藝的產(chǎn)能占MOS IC整體產(chǎn)能的比率方面，2004年第一季度為29.7%，而2004年第二季度增加到了約33.0%。

    2004年第二季度的MOS IC整體開工率約為95.7%，與上一季度相比，增加了1.7%。從不同設(shè)計(jì)工藝的生產(chǎn)開工率來看，0.7μm以上工藝為91.8%，0.4μm～0.7μm為95.9%，0.3μm～0.4μm為95.3%，0.2μm～0.3μm為95.4%，0.16μm～0.2μm為93.3%，不足0.16μm工藝的生產(chǎn)開工率為98.7%。其中，0.16μm以下的開工率最高。

    不同口徑晶圓的產(chǎn)能方面引人注目的是300mm晶圓的增長。2004年第二季度的產(chǎn)能為5萬1200枚/周（300mm晶圓的實(shí)際枚數(shù)），與上一季度相比有很大幅度的增長，增加了51.2%（圖3）。300mm晶圓半導(dǎo)體工場的開工率為95.7%。