48ASDP1S1V2QAT 芯片式鋁電解電容
發(fā)布時(shí)間:2019/10/3 23:11:12 訪問次數(shù):1107
48ASDP1S1V2QAT芯片式鋁電解電容器如圖2.6-15所示,它是一種采用電解液的卷包式電容器,電容器的極片由表面經(jīng)噴砂粗糙處理的鋁箔做成G芯片式鉭電容器如圖2.6-16所示,它有一個(gè)矩形的與鈕絲燒結(jié)的陽(yáng)極,陽(yáng)極由電解的介質(zhì)層包裹而成。
芯片式鋁電解電容
芯片式陶瓷多層電容器如圖2.6-17所示,它以陶瓷薄膜做介質(zhì)層,電極片采用了篩網(wǎng)印刷技術(shù)來形成。通過焙燒處理,陶瓷保持了其特殊的性能。
芯片式鉭電容
芯片式陶瓷多層電容器
可變電容器
可變電容器有轉(zhuǎn)動(dòng)式電容器和微調(diào)電容器,如圖2.6-18所示。
轉(zhuǎn)動(dòng)式電容器
它通常由一組固定的金屬片和一組可轉(zhuǎn)動(dòng)的金屬片組成。當(dāng)金屬片完全轉(zhuǎn)人時(shí),電容量為最大。其介質(zhì)一般為空氣,因此損耗系數(shù)較小。它常在廣播和電視技術(shù)中作為振蕩回路的調(diào)諧用。差動(dòng)可變電容器由兩組固定的金屬片和中間一組可轉(zhuǎn)動(dòng)的金屬片組成,它起到可變電容分壓器的作用。
微調(diào)電容器
片式微調(diào)電容器由兩片鍍銀的瓷片組成,通過旋轉(zhuǎn)置于中央的螺釘,可使兩金屬鍍層的重合面積發(fā)生變化,從而達(dá)到調(diào)整電容量的目的。
48ASDP1S1V2QAT芯片式鋁電解電容器如圖2.6-15所示,它是一種采用電解液的卷包式電容器,電容器的極片由表面經(jīng)噴砂粗糙處理的鋁箔做成G芯片式鉭電容器如圖2.6-16所示,它有一個(gè)矩形的與鈕絲燒結(jié)的陽(yáng)極,陽(yáng)極由電解的介質(zhì)層包裹而成。
芯片式鋁電解電容
芯片式陶瓷多層電容器如圖2.6-17所示,它以陶瓷薄膜做介質(zhì)層,電極片采用了篩網(wǎng)印刷技術(shù)來形成。通過焙燒處理,陶瓷保持了其特殊的性能。
芯片式鉭電容
芯片式陶瓷多層電容器
可變電容器
可變電容器有轉(zhuǎn)動(dòng)式電容器和微調(diào)電容器,如圖2.6-18所示。
轉(zhuǎn)動(dòng)式電容器
它通常由一組固定的金屬片和一組可轉(zhuǎn)動(dòng)的金屬片組成。當(dāng)金屬片完全轉(zhuǎn)人時(shí),電容量為最大。其介質(zhì)一般為空氣,因此損耗系數(shù)較小。它常在廣播和電視技術(shù)中作為振蕩回路的調(diào)諧用。差動(dòng)可變電容器由兩組固定的金屬片和中間一組可轉(zhuǎn)動(dòng)的金屬片組成,它起到可變電容分壓器的作用。
微調(diào)電容器
片式微調(diào)電容器由兩片鍍銀的瓷片組成,通過旋轉(zhuǎn)置于中央的螺釘,可使兩金屬鍍層的重合面積發(fā)生變化,從而達(dá)到調(diào)整電容量的目的。
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