LM4852LQ在圖3.1.5(a)所示MOs管的開關(guān)電路的輸人端,加一個(gè)理想的脈沖波形,如圖3,1,7所示。由于MOs管中柵極與襯底間電容Cgb(即數(shù)據(jù)手冊(cè)中的輸入電容CI)、漏極與襯底間電容Cdb、柵極與漏極電容Cgd以及導(dǎo)通電阻等的存在,使其在導(dǎo)通和閉合兩種狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí),不可避免地受到電容充、放電過程的影響。輸出電壓v。的波形已不是和輸人一樣的理想脈沖,上升和下降沿都變得緩慢了9而且輸出電壓的變化滯后于輸入電壓的變化。

由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱為互補(bǔ)MOs或CMOs電路,這在本書模擬部分已做了較詳細(xì)的討論,這里著重討論它作為數(shù)字電路的基本單元電路―反相器的工作原理。

圖3.1.8所示為CMOS反相器電路,由兩只增強(qiáng)型MOSFET組成,其中TN為N溝道結(jié)構(gòu),TP為P溝道結(jié)構(gòu)。兩只MOs管的7DD柵極連在一起作為輸入端;它們的漏極連在一起作為輸出端。按照?qǐng)D中標(biāo)明的電壓與電流方向,vI=矽csN,t=VDsN,并設(shè)藝DN=DP=jD。為了電路能正常工作,要求電源電壓/DD大于兩只MOS管的開啟電壓的絕對(duì)%值之和,即yDD>(%N+|%P|)。

工作原理,首先,考慮兩種極限情況;當(dāng)鈔1處于邏輯0時(shí),相應(yīng)的電壓近似為0Ⅴ;而當(dāng)v1處于邏輯1時(shí),相應(yīng)的電壓近似為yDD。假設(shè)在兩種情況下,TN為工作管,

其輸出特性曲線如圖3.1.5(b)所示。Tp為負(fù)載,其輸出特性曲線如圖3.1.9所示。對(duì)于TP管osDP=%D-V。,為了便于分析,將圖3.1.9(a)中的橫坐標(biāo)變換為v。(=yDD-vsDP),則得到圖3.1.9(b)。圖3.1.9 P溝道MOS管輸出特性曲線(a)以″sDP為橫軸的輸出特性曲線 (b)以v。為橫軸的輸出特性曲線.