GA4F3P-T1NMOS與非門電路,圖3.1.29所示為NMOS與非門電路 。其中Tl和T2為工作管 ,兩者串聯(lián) ;TR為負(fù)載管 :當(dāng)輸人A、 B中任一個(gè)為低電平時(shí) ,與它對(duì)應(yīng)的NMOS管截止 , 輸出為高 電平 ;僅當(dāng)A、 B全為高電平時(shí) ,所有工作管都導(dǎo)通 ,輸出才為低電平.可見電路具有與非功能 ,即L=A· B

NMOs或非門電路,圖3,1.30所示為NMOs或非門電路,其中T1和T2為工作管,兩者并聯(lián);T3為負(fù)載管。當(dāng)輸人A、B中任一個(gè)為高電平時(shí),與它對(duì)應(yīng)的MOs管導(dǎo)通,輸出為低電平;僅當(dāng)A、B全為低電平時(shí),所有工作管都截止,輸出才為高電平。電路具有或非功能,即

L=A+B

值得注意的是,當(dāng)與非門輸人端增加時(shí),串聯(lián)的管子也隨之增加。當(dāng)輸人全為高電平時(shí),各管的導(dǎo)通電阻串聯(lián),使低電平輸出電壓升高,以致破壞正常邏輯功能。而或非門的工作管是并聯(lián)的,增加管子的個(gè)數(shù)不會(huì)影響低電平輸出電壓的穩(wěn)定,因而NMOS門電路多以或非門為基礎(chǔ),構(gòu)成各種功能的邏輯電路。

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