TC701肖特基TTL電路,圖3.2.13所示為肖特基TTL與非門(mén)的電路結(jié)構(gòu)圖,與圖3.2.7所示的基本的TTL與非門(mén)電路相比,該電路做了若干改進(jìn)。在基本的TTL電路中,T1、T2和T3工作在深度飽和區(qū),管內(nèi)電荷存儲(chǔ)效應(yīng)對(duì)電路的開(kāi)關(guān)速度影響很大。現(xiàn)在除T4外,其余的BJT均采用SBD鉗位,以達(dá)到明顯的抗飽和效果。其次,基本電路中的所有電阻值這里幾乎都減半。這兩項(xiàng)改進(jìn)導(dǎo)致門(mén)電路的開(kāi)關(guān)時(shí)間大為縮短。由于電阻值的減小也必然會(huì)引起門(mén)電路的功耗增加。

肖特基TTL門(mén)電路對(duì)基本TTL電路(圖3.2.7)的性能做的改進(jìn)還有以下三點(diǎn):

基本TTL電路中的二極管D和T4由T4和T5所組成的復(fù)合管所代替,當(dāng)輸出由低電平向高電平過(guò)渡時(shí),由于復(fù)合管電路的電流增益很大,輸出電阻很小,從而減小了電路對(duì)負(fù)載電容的充電時(shí)間。

電路輸人端所加的SBD DA和D:,用來(lái)減小門(mén)電路之間的連線而引起的雜散信號(hào),并防止輸人信號(hào)反向過(guò)沖使T1電流過(guò)大而損壞。

由T6與凡6、Rb6組成的有源電路代替了基本TTL電路中的Re2(1 kΩ)。當(dāng)與非門(mén)的全部輸入端由低電平轉(zhuǎn)向高電平時(shí),T2飽和導(dǎo)通,由于T6的基極回路串接了電阻Rb6,T6的導(dǎo)通滯后T3,使T2以較大的電流驅(qū)動(dòng)T3,從而加快了T3的飽和過(guò)程。隨后,T6開(kāi)始導(dǎo)通,將對(duì)T3的基極電流產(chǎn)生分流作用,減輕了T3飽和程度,當(dāng)電路再次翻轉(zhuǎn)時(shí),T3能很快地截止。因而,有源電阻縮短了門(mén)電路的轉(zhuǎn)換時(shí)間,使其電壓傳輸特性得到改善。與TTL反相器的傳輸特性相比,C點(diǎn)不再存在了,由B點(diǎn)直接下降到D點(diǎn),即傳輸特性變化非常陡峭。有源非線性電路稱為有源下拉電路①,它與有源上拉電路是對(duì)應(yīng)的。

除典型的肖特基型TTL(74S系列)外,還有其他類型的改進(jìn)電路,它們的技術(shù)參數(shù)各有特點(diǎn),是在TTL工藝的發(fā)展過(guò)程中逐步形成的。