PCI950PTSIMOs管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)如圖4.5,5(a)所示。它是一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOs管,有兩個(gè)多晶硅柵極,控制柵gc和浮置柵gf。浮柵被絕緣的Sio2包圍著。編程處理前,浮柵上沒有電荷,與普通MOs管一樣。當(dāng)控制柵加正常工作的高電平時(shí),SIMOs管處于導(dǎo)通狀態(tài),此時(shí)的開啟電壓為%1,轉(zhuǎn)移特性如圖4.5.5(b)所示。編程時(shí)漏源間加正電壓(大于12Ⅴ),漏極與襯底間的PN結(jié)產(chǎn)生雪崩擊穿,若同時(shí)在控制柵加脈沖電壓(幅值大于12Ⅴ),則雪崩產(chǎn)生的高能電子,在柵極電場的作用下,穿過Sio2層注人到浮柵上。編程電壓撤除后,因浮柵被絕緣層包圍,注入的電子無放電通路,可以長期保留,此時(shí)SIMOs管的開啟電壓升高到7”,特性曲線右移,如圖4,5.5(b)所示。因此,控制柵加正常邏輯高電平也不能達(dá)到其開啟電壓,SIMOs管始終截止,相當(dāng)于斷開一樣。

擦除的方法是用紫外線或Ⅹ射線照射器件20min,則sio2層中將產(chǎn)生電子一空穴對(duì),為浮柵上的電子提供泄放通道,使之放電,SIMOS管恢復(fù)到編程前的狀態(tài)。

Flotox MOs管開關(guān)，F(xiàn)lotox MOS管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)如圖4.5.6所示。它與SIMOS管相似,不同的只是其浮柵與漏區(qū)間有一個(gè)極薄的氧化層(2×10ˉ:m以下),稱為隧道區(qū)。當(dāng)隧道區(qū)的電場強(qiáng)度足夠大時(shí),漏區(qū)與浮柵之間便出現(xiàn)導(dǎo)電隧道,在電場的作用下,電子通過隧道形成電流,這種現(xiàn)象稱為隧道效應(yīng)。同樣,編程處理前,浮柵上沒有電荷,與普通MOS管一樣。編程時(shí)源極、漏極均接地,控制柵加20V的脈沖電壓,隧道 圖4.5.6 Flotox MOS管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)區(qū)產(chǎn)生強(qiáng)電場,吸引漏區(qū)的電子通過隧道到達(dá)浮柵。撤除編程電壓后,浮柵上的電子可以長久保留,此時(shí)F1otox MOs管的開啟電壓升高,在正常邏輯電平下,始終關(guān)斷。

如果需要擦除編程信息,將管子漏極加20Ⅴ正脈沖電壓,控制柵接地,則浮柵上的電子在電場的作用下通過隧道回到漏區(qū),管子恢復(fù)到編程前的狀態(tài),從而達(dá)到擦除編程信息的目的。與SIMOs管相比,Flotox MOs管的編程和擦除都是通過在漏極和控制柵上加脈沖電壓,向浮柵注人和清除電荷的速度快、操作簡單,用戶可以在電路板上實(shí)現(xiàn)在線操作。實(shí)際上編程和擦除是同時(shí)進(jìn)行的,每次編程時(shí),是以新的信息代替原來的信息。Flotox MOs管也廣泛用于各種大規(guī)�？删幊唐骷�,作為可編程開關(guān)。