U0805R393KNT可見,功率晶體管屬于電流控制型器件。

功率MOS場效應(yīng)晶體管。這是一種依靠溝道內(nèi)的多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型器件。

功率MOs場效應(yīng)控制器件屬于電壓控制器件,只需在柵極(G)和源極(S)間加極性適當(dāng)的電壓便可使器件導(dǎo)通或關(guān)斷,即ygs=0時,漏極電流rds=o,管子處于關(guān)斷狀態(tài),由器件控制的輸出電路便不導(dǎo)通,當(dāng)ygs達到某一值時,漏極電流rds達到最大值(由yds和Rc所決定),管子處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),由器件控制的輸出電路便接通。

功率晶體管和功率MOS場效應(yīng)管在電路中使用的符號如圖3-20(a)、(b)所示。

雖然功率MOS場效應(yīng)管與功率晶體管相比具有輸入阻抗高,驅(qū)動功率小,可由CMOS集成電路或光耦合器驅(qū)動;而且,開關(guān)延時極短,沒有二次擊穿和電流集聚效應(yīng)等一系列優(yōu)點,作為固態(tài)繼電器的轉(zhuǎn)換器件是合適的。但是功率MOS場效應(yīng)管的通態(tài)壓降比功率晶體管要大得多。因而應(yīng)根據(jù)固態(tài)繼電器所控制的電路的具體情況來選擇采用何種器件。通常在切換直流負載電路的固態(tài)繼電器中一般采用功率MOS場效應(yīng)管或功率晶體三極管作為轉(zhuǎn)換器件。

功率晶體管、場效應(yīng)管和可控硅的符號(a)晶體管(NPN)符號;(b)MOS場效應(yīng)管符號;(c)可控硅符號。

硅可控整流器,常叫做可控硅,用SCR表示,電路中使用的符號如圖3-20(c)所

示。它是開發(fā)應(yīng)用最早的一種晶問管,有三個引出極,即陽極(A)、陰極(K)和門極(或稱為控制極)(G)。在可控硅的陽極上加相對于陰極為正的正向電壓以后,只有在門極上加適當(dāng)?shù)南鄬τ陉帢O為正的正向觸發(fā)電壓時,可控硅才能導(dǎo)通,使陽極回路里有電流流通,相當(dāng)于卉關(guān)的閉合狀態(tài)。如果在門極上未加觸發(fā)電壓,則不管陽極相對于陰極加正向電壓還是加反向電壓,可控硅都不能導(dǎo)通(叫做阻斷),陽極回路里沒有電流流通,相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài)。可見,可控硅是一種典型的大功率可控開關(guān),可作為固態(tài)繼電器的轉(zhuǎn)換器件。

可控硅一旦導(dǎo)通以后,門極即失去控制作用,這時門極不管是否加觸發(fā)電壓或加負的觸發(fā)電壓,都不能使可控硅關(guān)斷。要使導(dǎo)通的可控硅關(guān)斷,只能減小陽極電流使其小于維持電流,或減小陽極電壓使其相對于陰極的電壓變零或變負,可控硅才恢復(fù)到阻斷狀態(tài)。因而它不具各自關(guān)斷的能力。

三端雙向可控硅,簡稱雙向可控硅,其結(jié)構(gòu)和特性可以看成是一對反向并聯(lián)的可控硅。作為一種雙向可控半導(dǎo)體開關(guān),在交流功率電路中使用,可以簡化線路.

把￠4.4mm的記作T-1(1/4)。由半值角大小可以估計圓形發(fā)光強度角分布情況。從發(fā)光強度角分布圖來分有三類。

高指向性。一般為尖頭環(huán)氧封裝,或是帶金屬反射腔封裝,且不加散射劑。半值角為5°~20°或更小,具有很高的指向性,可作局部照明光源用,或與光檢出器聯(lián)用以組成自動檢測系統(tǒng)。

標(biāo)準(zhǔn)型。通常作指示燈用,其半值角為20°~45°。

散射型。這是視角較大的指示燈,半值角為45°~90°或更大,散射劑的量較大。

按LED的結(jié)構(gòu)分 按LED的結(jié)構(gòu)分有全環(huán)氧包封、金屬底座環(huán)氧封裝、陶瓷底座環(huán)氧封裝及玻璃封裝等結(jié)構(gòu)。

按發(fā)光強度和工作電流分 按發(fā)光強度和工作電流分有普通亮度的LED(發(fā)光強度<10mcd),超高亮度的LED(發(fā)光強度)100mcd),發(fā)光強度在10~100mcd間的高亮度LED。一般LED的工作電流在十幾毫安至幾十毫安,而低電流LED的工作電流在2mA以下(亮度與普通LED相同)。

LED伏安特性,LED是一種可發(fā)光的二極管,除了具有發(fā)光特性外,還具有普通二極管的特性。LED的伏安特性曲線可以劃分為正向特性區(qū)、反向特性區(qū)和反向擊穿區(qū)。