MC14529BCL試?yán)L出它的幅頻響應(yīng)波特圖,并求出中頻增益、下限頻率尻和上限頻率凡及增益下降到1時(shí)的頻率。

一單級(jí)阻容耦合共射放大電路的通頻帶是50Hz~50kHz,中頻電壓增益

|avm|=40dB,最大不失真交流輸出電壓范圍是-3Ⅴ~+3V。若輸人一個(gè)10sin(4π×1σJ)(mV)的正弦波信號(hào),輸出波形是否會(huì)產(chǎn)生頻率失真和非線性失真?若不失真,則輸出電壓的峰值是多大?yo與yi間的相位差是多少?若vi=們sin(4π×25×103t)(mV),重復(fù)回答(1)中的問(wèn)題;若vi=10“n(4π×sO×103t)(mⅤ),輸出波形是否會(huì)失真?

電路如圖題475所示,已知BJT的u=50,rbe=072kΩ。估算電路的下限頻率;vim=10mⅤ,且f=fl,則|vom=?vo與vi間的相位差是多少?

一高頻BJT,在JcQ=15mA時(shí),測(cè)出其低頻H參數(shù)為:rbe=11kΩ,`0=∞,特征頻率央=100MHz,cⅡ=3pF,試求混合t形模型參數(shù)gm、、t、b、cb、。

電路如圖題4.7~5所示,BJT的u=硐,C“c=3pF,Cb、=100pF,'時(shí)=100Ω。

畫(huà)出高頻小信號(hào)等效電路,求上限頻率五I;(b)如RL提高10倍,問(wèn)中頻區(qū)電壓增益、上限頻率及增益-帶寬積各變化多少倍?

電路如圖441所示(射極偏置電路),設(shè)信號(hào)源內(nèi)阻Rs=5kΩ,電路參數(shù)為:

R"=33kΩ,Rh2=⒛kΩ,Re=39kΩ,Rc=47Ω,RL=51kΩ,在Re兩端并接一電容

Ce=50uF, ycc=5Ⅴ, 幾Q≈033mA,/3。=120, rcc=300kΩ, rbb`=50Ω,卉=700MHz及Cb%=1pF。求:(1)輸人電阻Ri;(2)中頻區(qū)電壓增益注ˇMh(3)上限頻率九。

在題4.7,8所述放大電路中,C"=cb2=1uF,射極旁路電容Ce=10uF,求下限頻率。

單級(jí)放大電路的瞬態(tài)響應(yīng),若將一穿度為1u的理想脈沖信號(hào)加到一單級(jí)共射放大電路(假設(shè)只有一個(gè)時(shí)雙極結(jié)型三極管及放大咆路基礎(chǔ)間常數(shù))的輸人端,畫(huà)出下列三種情況下的輸出波形。設(shè)‰為輸人電壓最大值:頻帶為.gO MHz;(2)頻帶為10MHz;(3)頻帶為1MHz。(假設(shè)yL=0) 

電路如圖題4.8.2所示。當(dāng)輸人方波電流的頻率的⒛0Hz時(shí),計(jì)算輸出電壓的平頂降落;當(dāng)平頂降落小)手^%蒔,輸人方波的最低頻率為多少?

電路和參數(shù)與例sPE4.9.1中圖4.4.1相同,設(shè)信號(hào)源內(nèi)阻Rs=0。試運(yùn)用sPICE作如下分析:當(dāng)正弦電壓信號(hào)源%的頻率為1kHz、振幅為10mⅤ時(shí),求輸人、輸出電壓波形;求電壓增益的幅頻響應(yīng)和相頻響應(yīng);求電路的輸人電阻Ri和輸出電阻Ro。

電路如圖4,3.7所示。設(shè)BJT的型號(hào)為2N2222,‰c=5V,c"=1uF,Rb=1MΩ,R。=3.3kΩ,Rs=0及b=210。去掉C吻和盡L,負(fù)載電容C.=4pF,直接接到BJT的集電極和地之間。當(dāng)輸人電壓信號(hào)vs為-5mV~+5mⅤ的正負(fù)方波,其周期分別為100ms和01ms時(shí),求%的波形。

試用sPICE程序求解題4.7.2的答案。

上一章分析了雙極型三極管(BJT)及其放大電路。本章將介紹第二種主要類型的三端放大器件:場(chǎng)效應(yīng)管①(FET)。F弓T有兩種主要類型:金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOsFET②)和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET③)。由于MOsFET制造工藝的成熟使它的體積可以做得很小,從而可以制造高密度的超大規(guī)模集成(ⅤLSI)電路和大容量的可編程器件或存儲(chǔ)器。

結(jié)型FET中的結(jié)可以是一個(gè)普通的PN結(jié),構(gòu)成通常所說(shuō)的JFET;也可是一個(gè)肖特基(schottky)勢(shì)壘柵結(jié),構(gòu)成一個(gè)金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,即MESFET④。MEsFET可用在高速或高頻電路中,例如微波放大電路。

本章先介紹MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理,然后再討論FET放大電路的三種組態(tài)形式:共源極、共漏極和共柵極結(jié)構(gòu)。MOsFET體積很小,在集成電路放大器中,常用增強(qiáng)型或耗盡型MOsFET做成電流源作為偏置電路或有源負(fù)載。因此,帶有源負(fù)載的放大電路也是本章討論的內(nèi)容之一,讀者應(yīng)予以足夠的重視。JFET放大電路相對(duì)應(yīng)用較少,因此本章將它放到較次的位置。

應(yīng)當(dāng)注意到,與BJT的導(dǎo)電機(jī)制不同,FET只有一種載流子――電子或空穴導(dǎo)電,故稱FET為單極型器件。

此外,BJT屬電流控制電流型器件,對(duì)應(yīng)的FET是電壓控制電流型器件,而⒛世紀(jì)初發(fā)展起來(lái)的電真空器件同屬電壓控制電流型器件,人們不禁要問(wèn),FET為何不跨越BJT而直接從電真空器件過(guò)渡?這是由微電子電路的制造工藝所決定的。

也稱“場(chǎng)效晶體管”。

MOsFET系Metal-Oxide-Semicondu°t°r Fle1d Effect Transistor的縮寫(xiě)。

JFET系Jllnction Reld Effect Tran⒍stor的縮寫(xiě)。

MEsFET系Metal-%micondu。tor FIeld Effeot Transistor的縮寫(xiě)。