MOC3010SR2M按下測(cè)試鈕。

測(cè)試儀正面的指示(成功或失敗)燈會(huì)立即亮起。

系統(tǒng)失效的情況有:接地的導(dǎo)電率不足;腕帶或接地線內(nèi)置的安全電阻損壞。

用萬用表進(jìn)行測(cè)試:

將萬用表調(diào)至Ω擋位。

調(diào)整萬用表的Ω擋位至合適的電阻范圍。

將手腕帶的插座終端與萬用表的黑表筆相連。

用萬用表的紅表筆接觸手腕帶的金屬片一端。

測(cè)得的電阻范圍是250kΩ~1.5MΩ。

套上手腕帶。

用食指和拇指捏住萬用表的紅表筆。

測(cè)得的電阻不大于10MΩ。

防靜電手表 需要其他防靜電措施的補(bǔ)救才能取得較好的防靜電效果。

防靜電腳帶/防靜電鞋(見圖5-10) 廠房使用防靜電地面后,應(yīng)佩戴防靜電鞋帶或穿防靜電鞋,建議車間以穿防靜電鞋為主,可降低灰塵的引人。

防靜電臺(tái)墊 各臺(tái)墊申上1MΩ電阻后與防靜電地板可靠連接。

防靜電地板。

屏蔽類防靜電包裝運(yùn)輸及儲(chǔ)存材料

防靜電周轉(zhuǎn)箱、防靜電元件盒,如圖5-11所示。防靜電鞋,防靜電周轉(zhuǎn)箱、防靜電元件盒.

防靜電屏蔽袋,如圖5-12所示。

防靜電膠帶,如圖5-13所示。

防靜電屏蔽袋,防靜電膠帶.

BJT是電流控制電流器件,有兩種載流子參與導(dǎo)電,屬于雙極型器件;而FET是電壓控制電流器件,只依靠一種載流子導(dǎo)電,因而屬于單極型器件。雖然這兩種器件的控制原理有所不同,但通過類比可發(fā)現(xiàn),組成電路的形式極為相似,分析的方法仍然是圖解法(亦可用公式計(jì)算)和小信號(hào)模型分析法。

己在FET放大電路中,yDs的極性決定于溝道性質(zhì),N(溝道)為正,P(溝道)為負(fù);為了建立合適的偏置電壓ycs,不同類型的FET,對(duì)偏置電壓的極性有不同要求:增強(qiáng)型MOSFET的ycs與%s同極性,耗盡型MOSFET的ycs可正、可負(fù)或?yàn)榱?JFET的7Gs與yDs極性相反。

按三端有源器件三個(gè)電極的不同連接方式,兩種器件(BJT,JFET、MESFET和MOSFET)可以組成六種組態(tài)。但依據(jù)輸出量與輸入量之間的大小與相位關(guān)系的特征,這六種組態(tài)又可歸納為三種組態(tài),即反相電壓放大器、電壓跟隨器和電流跟隨器。這為放大電路的綜合設(shè)計(jì)提供了有實(shí)用意義的思路。

由于FET具有輸入阻抗高、噪聲低(如JFET)等一系列優(yōu)點(diǎn),而BJT高,若FET和BJT結(jié)合使用,就可大為提高和改善電子電路的某些性能指標(biāo)。BiFET模擬集成電路是按這一特點(diǎn)發(fā)展起來的,從而擴(kuò)展了FET的應(yīng)用范圍。

由于GaAs的電子遷移率比硅大約5~10倍,高速CaAs MESFET正被用于高頻放大和高速數(shù)字邏輯電路中,其互導(dǎo)gm可達(dá)100 ms,甚至更高。

MOS器件主要用于制成集成電路。由于微電子工藝水平的不斷提高,在大規(guī)模和超大規(guī)模模擬和數(shù)字集成電路中應(yīng)用極為廣泛,同時(shí)在集成運(yùn)算放大器和其他模擬集成電路中也得到了迅速的發(fā)展,其中BiCMOS集成電路更具有特色,因此,MOs器件的廣泛應(yīng)用必須引起讀者的高度重視。

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/