OPA342NA/3K 手腕帶測試儀進行測試
發(fā)布時間:2020/1/3 20:25:21 訪問次數(shù):2428
OPA342NA/3K表面電阻率用于厚度一定的薄膜材料,其定義為表面上單位長度的直流壓降與單位寬度流過電流之比。它指正方形兩對邊之問的阻值,只要面積遠遠大于薄膜厚度,則該阻值與正方形的大小無關(guān)。表面電阻率的單位是Ω。
導電防護材料,表面電阻率低于105Ω/m2,比如金屬、整體導電的塑料。
最敏感的元件即第一級元件,例如不具各保護電路的金屬半導體,這些元件需用導電材料防護。
散電防護材料,表面電阻率在105~109Ω/m2之問。
第二級的元件,例如各有防護電路的金屬半導體,這些元件需用散電材料防護。
抗靜電材料,表面電阻率在109~10n Ω/m2之間。
第三級的元件,例如小片電阻,適合用抗靜電材料作防護。
導電材料的顏色作為敏感指標,黑代表已加入碳,為導電性最強的;藍代表材料是屬散電類;粉紅(代表抗靜電)的防護性最低。
防靜電產(chǎn)品,接地類防靜電產(chǎn)品
防靜電手腕帶(見圖5-8) 由防靜電松緊帶、活動按扣、彈簧軟線、保護電阻及插頭或夾頭組成。松緊帶的內(nèi)層用防靜電紗線編織,外層用普通紗線編織。腕帶應(yīng)用專門的帶插座的接地線與地連結(jié),不能夾在
桌面或桌邊的金屬體上,因為這些金屬體對地的電阻可能很大。使用腕帶操作時不允許斷開,否則會失去接地作用。
手腕帶的測試有以下幾種方式。
用手腕帶測試儀進行測試(見圖5-9):
選擇一個手腕帶測試儀。
套上手腕帶。
將手腕帶的插座終端插入測試儀。
測試儀開關(guān),測試通過指示燈,測試失敗指示燈,按壓測試金屬板,手腕帶連接孔,防靜電手腕帶測試儀,防靜電手腕帶.
Level=3時屬于短溝道器件,此時無論是否設(shè)置了溝道長度調(diào)制系數(shù)Lambda的值,總認為Lambda=0,因此在仿真溝道長度調(diào)制系數(shù)對電路的影響時,要將Level設(shè)置為2或1。要注意Κ與Kn的區(qū)別,Kn是電導常數(shù),
它們的單位是一樣的。模型中Kp的值實際上是Kl的值,JFET的SPICE模型主要參數(shù).
設(shè)置交流掃描分析,得到電壓增益、電流增益的波特圖和輸人電阻的頻率響應(yīng)曲線如圖b所示。由圖看出,通帶內(nèi)電壓增益約為15dB;漏極電流與輸人電流之比的電流增益約為00B(即1倍),表現(xiàn)出電流跟隨特性。負載電流與輸入電流之比的增益約為10,88 dB;輸入電阻較小,約為504Ω。
去掉負載,在輸出端加上測試電壓源,且將輸人電流信號源開路,保留信號源內(nèi)阻Rs進行交流掃描分析,輸出電阻的頻率響應(yīng)曲線如圖c所示。由圖看出,通帶內(nèi)的輸出電阻約為4 kΩ。
OPA342NA/3K表面電阻率用于厚度一定的薄膜材料,其定義為表面上單位長度的直流壓降與單位寬度流過電流之比。它指正方形兩對邊之問的阻值,只要面積遠遠大于薄膜厚度,則該阻值與正方形的大小無關(guān)。表面電阻率的單位是Ω。
導電防護材料,表面電阻率低于105Ω/m2,比如金屬、整體導電的塑料。
最敏感的元件即第一級元件,例如不具各保護電路的金屬半導體,這些元件需用導電材料防護。
散電防護材料,表面電阻率在105~109Ω/m2之問。
第二級的元件,例如各有防護電路的金屬半導體,這些元件需用散電材料防護。
抗靜電材料,表面電阻率在109~10n Ω/m2之間。
第三級的元件,例如小片電阻,適合用抗靜電材料作防護。
導電材料的顏色作為敏感指標,黑代表已加入碳,為導電性最強的;藍代表材料是屬散電類;粉紅(代表抗靜電)的防護性最低。
防靜電產(chǎn)品,接地類防靜電產(chǎn)品
防靜電手腕帶(見圖5-8) 由防靜電松緊帶、活動按扣、彈簧軟線、保護電阻及插頭或夾頭組成。松緊帶的內(nèi)層用防靜電紗線編織,外層用普通紗線編織。腕帶應(yīng)用專門的帶插座的接地線與地連結(jié),不能夾在
桌面或桌邊的金屬體上,因為這些金屬體對地的電阻可能很大。使用腕帶操作時不允許斷開,否則會失去接地作用。
手腕帶的測試有以下幾種方式。
用手腕帶測試儀進行測試(見圖5-9):
選擇一個手腕帶測試儀。
套上手腕帶。
將手腕帶的插座終端插入測試儀。
測試儀開關(guān),測試通過指示燈,測試失敗指示燈,按壓測試金屬板,手腕帶連接孔,防靜電手腕帶測試儀,防靜電手腕帶.
Level=3時屬于短溝道器件,此時無論是否設(shè)置了溝道長度調(diào)制系數(shù)Lambda的值,總認為Lambda=0,因此在仿真溝道長度調(diào)制系數(shù)對電路的影響時,要將Level設(shè)置為2或1。要注意Κ與Kn的區(qū)別,Kn是電導常數(shù),
它們的單位是一樣的。模型中Kp的值實際上是Kl的值,JFET的SPICE模型主要參數(shù).
設(shè)置交流掃描分析,得到電壓增益、電流增益的波特圖和輸人電阻的頻率響應(yīng)曲線如圖b所示。由圖看出,通帶內(nèi)電壓增益約為15dB;漏極電流與輸人電流之比的電流增益約為00B(即1倍),表現(xiàn)出電流跟隨特性。負載電流與輸入電流之比的增益約為10,88 dB;輸入電阻較小,約為504Ω。
去掉負載,在輸出端加上測試電壓源,且將輸人電流信號源開路,保留信號源內(nèi)阻Rs進行交流掃描分析,輸出電阻的頻率響應(yīng)曲線如圖c所示。由圖看出,通帶內(nèi)的輸出電阻約為4 kΩ。
熱門點擊
- XCS10-3CTQ144 波音和空客飛機的
- ICTE10 錯誤的導線束分支方法視圖
- ST9637D 隨機存儲器的檢查
- MC78L08F 接觸鍵盤進行信號的快速通斷
- OPA342NA/3K 手腕帶測試儀進行測試
- PST3716CB 永磁電壓脈沖發(fā)生器
- MSM5118165D-50JS 單極性8位
推薦技術(shù)資料
- 100V高頻半橋N-溝道功率MOSFET驅(qū)動
- 集成高端和低端 FET 和驅(qū)動
- 柵極驅(qū)動單片半橋芯片MP869
- 數(shù)字恒定導通時間控制模式(COT)應(yīng)用探究
- 高效率 (CSP/QFN/BG
- IC 工藝、封裝技術(shù)、單片設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究