NCP562SQ18T1充分利用分裂環(huán)半徑、內(nèi)環(huán)角度、外環(huán)角度這3個(gè)調(diào)節(jié)參數(shù)，可設(shè)計(jì)無芯片標(biāo)簽頻率調(diào)整方法如下：

調(diào)節(jié)分裂環(huán)半徑，將標(biāo)簽諧振頻率調(diào)整到合適的中心頻率。為方便設(shè)計(jì)和標(biāo)準(zhǔn)化，根據(jù)上節(jié)設(shè)置內(nèi)外環(huán)半徑，中心頻率可在5.15 GHz、4.86 GHz和4.4 GHz 3個(gè)中選擇。

調(diào)節(jié)外環(huán)角度，將標(biāo)簽諧振頻率調(diào)整到合適的基頻位置，實(shí)現(xiàn)大范圍的粗調(diào)。

調(diào)節(jié)內(nèi)環(huán)半徑，在基頻的基礎(chǔ)上加入頻率偏移，實(shí)現(xiàn)精細(xì)調(diào)整。

無芯片標(biāo)簽包括主環(huán)和副環(huán)，主環(huán)外環(huán)半徑為2.5 mm，工作于中心頻率4.86 GHz;副環(huán)外環(huán)半徑為1.8 mm，工作于中心頻率5.15 GHz。以a0~a15表示位數(shù)由低至高的16 bit編碼。通過仿真測試，綜合考慮編碼容量和頻率分辨率.

電阻R1、 R5、R7和R12與NMOS管深N阱相連接，用于給深N阱加偏壓;柵極電阻R3、R6、R9和R11用來提高隔離度;R2、R4、R8和R10接晶體管體端，用于體端懸浮。

在0.1-1.2GHz頻段范圍內(nèi)，開關(guān)的插入損耗(S21)為-0.7dB左 右，且平坦度良好，輸入、輸出回波損耗(S11和S22)小于-20dB;從圖7中可以看出，在整個(gè)頻段內(nèi)射頻開關(guān)的隔離度(S13)均大于37dB,具 有良好的隔離特性。由于采用全對稱結(jié)構(gòu)，該射頻開關(guān)在發(fā)射狀態(tài)下的S參數(shù)測試結(jié)果與接收狀態(tài)下相比基本相同。圖8所示的為該收發(fā)開關(guān)在433MHz及 900MHz頻率下的輸出功率曲線及1dB壓縮點(diǎn)。測試結(jié)果表明，兩個(gè)頻率的輸出功率曲線1dB壓縮點(diǎn)分別為23.1dBm和22.7dBm,且功率壓縮特性基本一致。

高精度定位，定位精度0.3~1米

實(shí)時(shí)定位系統(tǒng)，無延遲（100毫秒以內(nèi)）

支持2D，提供X,Y坐標(biāo)（3D定位研發(fā)中）

布置規(guī)劃簡單,客戶CAD地圖通過規(guī)劃軟件進(jìn)行布置

提供精確的各類信息方便統(tǒng)計(jì)和分析

安裝方便，支持PoE供電

二次開發(fā)容易，提供獲取定位數(shù)據(jù)的API

支持不同終端定位，如標(biāo)簽，手機(jī)等

與其他設(shè)備的聯(lián)動(dòng)，自動(dòng)尋找和無縫跟蹤目標(biāo)，如攝像頭聯(lián)動(dòng)等

             

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