ZC821B 調(diào)整NAND閃存芯片的晶圓

發(fā)布時間:2020/2/21 21:46:08 訪問次數(shù):1420

ZC821B半導(dǎo)體技術(shù)公司三星電子宣布，其位于韓國華城的半導(dǎo)體生產(chǎn)線V1已經(jīng)開始量產(chǎn)。

V1生產(chǎn)線于2018年2月動工，并于2019年下半年開始測試晶圓生產(chǎn)，首批產(chǎn)品將于今年第一季度交付給客戶。

V1生產(chǎn)線的累計總投資將達到60億美元，7nm及以下工藝節(jié)點的總產(chǎn)能預(yù)計將是2019年的3倍。

同樣位于華城的S3晶圓廠開始了7LLP工藝的初步生產(chǎn)。

公司計劃最早在本月削減NAND存儲芯片產(chǎn)量的報道。三星電子和SK海力士計劃削減NAND閃存芯片產(chǎn)量。報道還表示，如果日本的出口限制延長，三星也在考慮“緊急措施”，包括分階段削減DRAM芯片產(chǎn)量。SK海力士在4月份的一季度電話會議上表示，公司計劃調(diào)整NAND閃存芯片的晶圓組合。

根據(jù)IC Insights的報告，由于全球內(nèi)存和閃存芯片市場的崩潰，這帶來半導(dǎo)體市場格局一個“完全的轉(zhuǎn)變”。

作為對比，2018年上半年，三星電子芯片銷售額比英特爾高出22%，但今年同期英特爾的銷售額比三星高出20%。

中國臺灣地區(qū)的半導(dǎo)體廠商臺積電公司上半年銷售額下降9%，取代韓國海力士位居全球第三名。SK海力士跌至第四位。

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