UPD78013GC-742-AB8同步降壓穩(wěn)壓器的高效率和低損耗（LDO）穩(wěn)壓器的低噪聲。ISL70005SEH和ISL73005SEH是抗輻射的雙輸出點(diǎn)負(fù)載（POL）穩(wěn)壓器，結(jié)合了它們適用于3.3V或5V電源總線的系統(tǒng)，能夠支持降壓調(diào)節(jié)器3A和LDO±1A的連續(xù)輸出負(fù)載電流。

降壓穩(wěn)壓器采用電壓模式控制架構(gòu)，開關(guān)的電阻可調(diào)頻率為100kHz至1MHz。外部可調(diào)環(huán)路補(bǔ)償允許在穩(wěn)定性和輸出動(dòng)態(tài)性能之間實(shí)現(xiàn)最佳平衡。內(nèi)部同步功率開關(guān)優(yōu)化為高效率和優(yōu)異的熱性能。

LDO完全可以獨(dú)立于開關(guān)調(diào)節(jié)器進(jìn)行配置。它使用NMOS pass器件和獨(dú)立的芯片偏置電壓（L_VCC）驅(qū)動(dòng)其柵極，使LDO在L_VIN輸入端以非常低的電壓工作。LDO可以連續(xù)接收和源高達(dá)1A，使其成為驅(qū)動(dòng)DDR存儲(chǔ)器的理想選擇。

ISL70005SEH和ISL73005SEH采用節(jié)省空間的28 Ld陶瓷雙扁平封裝或模具形式。它們被指定在TA=-55℃到+125℃的溫度范圍內(nèi)工作。

STM32L562xx設(shè)備是基于高性能Arm®Cortex®M33 32位RISC內(nèi)核的超低功耗微控制器系列（STM32L5系列）。它們的工作頻率高達(dá)110兆赫。

內(nèi)核具有一個(gè)單精度浮點(diǎn)單元（FPU），它支持所有單精度數(shù)據(jù)處理指令和所有數(shù)據(jù)類型。實(shí)現(xiàn)了全套的DSP（數(shù)字信號(hào)處理）指令和增強(qiáng)應(yīng)用程序安全性的內(nèi)存保護(hù)單元（MPU）。

這些設(shè)備嵌入高速存儲(chǔ)器（512k字節(jié)的閃存和256kb的SRAM）、一個(gè)用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的靈活外部存儲(chǔ)器控制器（FSMC）（用于100針及以上封裝的設(shè)備）、一個(gè)Octo-SPI閃存接口（可用于所有封裝）和一系列連接到兩個(gè)APB的增強(qiáng)I/o和外圍設(shè)備總線、兩條AHB總線和一個(gè)32位多AHB總線矩陣。

STM32 L5系列設(shè)備提供了符合ARM的基于信任的安全體系結(jié)構(gòu)（TBSA）要求的安全基礎(chǔ)。它們嵌入了必要的安全功能，以實(shí)現(xiàn)安全引導(dǎo)、安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、安全固件安裝和安全固件升級(jí)。靈活的生命周期管理多虧了多級(jí)讀出保護(hù)。由于安全的外圍設(shè)備、內(nèi)存和I/O，以及將外圍設(shè)備和內(nèi)存配置為“特權(quán)”的可能性，支持固件硬件隔離。

STM32L562xx設(shè)備為嵌入式閃存和SRAM嵌入了幾種保護(hù)機(jī)制：讀出保護(hù)、寫入保護(hù)、安全和隱藏保護(hù)區(qū)域。

(素材來源：21ic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）