二極管的整流損耗超過電源輸出功率

發(fā)布時間:2020/3/19 21:38:07 訪問次數(shù):768

RC56DDP-RAM重新映射

•可選擇明排、上拉和下拉

•高達5毫安的過電壓鉗位電流

•所有I/O引腳上的更改通知中斷

資質(zhì)和B級支持

•計劃AEC-Q100 REVG（1級，-40℃至+125℃）

•計劃AEC-Q100 REVG（0級，-40℃至+150℃）

•B級安全庫，IEC 60730

開關(guān)電源的損耗由3部分組成：功率開關(guān)管的損耗，高頻變壓器的損耗，輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極管的導(dǎo)通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出�？旎謴�(fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達1.0～1.2V，采用低壓降的肖特基二極管(SBD)，大約0.6V的壓降，導(dǎo)致整流損耗增大，電源效率降低。

調(diào)試器開發(fā)支持

•電路內(nèi)和應(yīng)用程序設(shè)計

•兩個程序和兩個復(fù)雜的數(shù)據(jù)斷點

•IEEE1149.2兼容（JTAG）邊界掃描

•跟蹤和運行時間監(jiān)視

同步整流技術(shù)采用低導(dǎo)通電阻的功率MOS管代替開關(guān)變換器快恢復(fù)二極管，起整流管的作用，從而達到降低整流損耗，提高效率的目的。=變換器的主開關(guān)管也采用功率MOS管，二者有一些差異的。

功率MOS管實際上是一個雙向?qū)щ娖骷ぷ髟淼牟煌�，�?dǎo)致了其他一些方面的差異。主開關(guān)的MOS管通常都是硬開關(guān)，要求開關(guān)速度快，以減小開關(guān)損耗;而作為整流/續(xù)流用的同步MOS管，則要求MOS管具有低導(dǎo)通電阻、體二極管反向恢復(fù)電荷小、柵極電阻小和開關(guān)特性好等特點，雖然兩者都是MOS管，但是它們的工作特性和損耗機理并不一樣，性能參數(shù)要求不一樣，正確選用MOS管是有益的。

采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓，所消耗的電流可達20A。超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管，整流管上的損耗也會達到(18%～40%)PO，占電源總損耗的60%以上。

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