電容式觸摸通道特定的用途
發(fā)布時間:2020/3/19 22:20:43 訪問次數(shù):2287
LB11675V-TLM-E基于接近感測和LED動畫參考設(shè)計的電容式觸控用戶界面中,用戶可以使用三種工作模式:
接近感測模式:當(dāng)感測到手接近時,電路板將從睡眠模式喚醒,并切換到LED指示的活躍模式。
自主模式:可以通過按鍵選擇預(yù)先存儲的自主模式,如呼吸(單色或混合色淡入,淡出),追逐(單色或混合色),兩種顏色追逐(一種顏色追逐基于另一種顏色)或任何其他顏色設(shè)計師編程的模式。
控制模式:控制模式演示了用戶如何用手指控制電容式撥號,同時應(yīng)用程序通過LED環(huán)提供反饋。Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 33 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 188 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 70 A
基于CapTIvate™觸控技術(shù)和先進LED驅(qū)動技術(shù)的單個MSP430FR2522微控制器(MCU), 如下圖所示。六個電容式觸摸I/O通道各有特定的用途。在這個特定的設(shè)計中,三個用于轉(zhuǎn)盤控制,兩個用于按鈕,一個用于接近感應(yīng)。即使在有飛濺油脂或水滴的情況下也能實現(xiàn)精確控制。
晶體管類型: 1 N-Channel
商標(biāo): ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值: 49 S
下降時間: 28 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 35 ns
工廠包裝數(shù)量: 450
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 110 ns
典型接通延遲時間: 43 ns
深圳市金嘉銳電子有限公司http://xczykj.51dzw.com/
(素材來源:21ic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
LB11675V-TLM-E基于接近感測和LED動畫參考設(shè)計的電容式觸控用戶界面中,用戶可以使用三種工作模式:
接近感測模式:當(dāng)感測到手接近時,電路板將從睡眠模式喚醒,并切換到LED指示的活躍模式。
自主模式:可以通過按鍵選擇預(yù)先存儲的自主模式,如呼吸(單色或混合色淡入,淡出),追逐(單色或混合色),兩種顏色追逐(一種顏色追逐基于另一種顏色)或任何其他顏色設(shè)計師編程的模式。
控制模式:控制模式演示了用戶如何用手指控制電容式撥號,同時應(yīng)用程序通過LED環(huán)提供反饋。Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 33 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 188 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 70 A
基于CapTIvate™觸控技術(shù)和先進LED驅(qū)動技術(shù)的單個MSP430FR2522微控制器(MCU), 如下圖所示。六個電容式觸摸I/O通道各有特定的用途。在這個特定的設(shè)計中,三個用于轉(zhuǎn)盤控制,兩個用于按鈕,一個用于接近感應(yīng)。即使在有飛濺油脂或水滴的情況下也能實現(xiàn)精確控制。
晶體管類型: 1 N-Channel
商標(biāo): ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值: 49 S
下降時間: 28 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 35 ns
工廠包裝數(shù)量: 450
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 110 ns
典型接通延遲時間: 43 ns
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